--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**TF5N50FD-VB TO220F N 沟道 MOSFET** 是一款采用 **Plannar 技术** 的高压功率 MOSFET,专为高电压开关应用设计,具有最大漏极源极电压(VDS)为 **650V** 和最大漏极电流(ID)为 **4A** 的能力。该 MOSFET 具有 **3.5V** 的门阈值电压(Vth)和 **2560mΩ** 的导通电阻(RDS(ON))@VGS = 10V,使其在开关应用中表现出稳定的电气性能和相对较高的功率损耗。
适用于需要高电压控制的 **电源管理系统、电动机驱动系统**、**高压电源转换器** 和 **汽车电子设备**。其 TO220F 封装具有较好的热性能,适用于需要高电流且对散热有要求的应用。
### 详细参数说明
- **型号**:TF5N50FD-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单个 N 沟道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压(VDS)**:650V
- **最大门源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- **2560mΩ** @ **VGS = 10V**
- **最大漏极电流(ID)**:4A
- **技术**:Plannar
- **最大功耗**:有限于设备的封装和散热设计
### 适用领域和模块举例
1. **高压电源转换器**:
**TF5N50FD-VB** 由于其 **650V** 的高电压耐受能力,非常适用于 **高压电源转换器** 中的开关元件。在电力系统、**太阳能逆变器** 和 **不间断电源(UPS)** 中,MOSFET 常用于 DC-AC 或 AC-DC 的转换电路中,提供高效的电力转换,并能够处理较大的电压和电流。
2. **电动机驱动系统**:
在 **电动机驱动系统** 中,尤其是在 **工业电动机驱动** 和 **家电电动机控制** 的应用中,TF5N50FD-VB 提供必要的开关性能。它可以作为 **H 桥电路** 中的开关元件,用于驱动直流电机和步进电机。这款 MOSFET 的高耐压能力使其能够适应高功率电机应用中的严苛工作环境。
3. **高压电源和变频器**:
**TF5N50FD-VB** 也适用于 **变频器** 和 **电力电容器开关** 等高压开关设备。变频器用于调节电机速度和控制电流,而MOSFET可有效处理高频率切换需求,确保系统在高电压环境下的可靠性和效率。
4. **汽车电子**:
在 **汽车电子** 中,尤其是在 **电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)** 的电池管理系统(BMS)中,**TF5N50FD-VB** 可以作为高压开关,提供对电池的充放电管理、能量回收以及动力系统控制。MOSFET 的低导通电阻和高电压承受能力使其成为电池管理、功率转换和电动机驱动的理想选择。
5. **电力供应设备**:
**TF5N50FD-VB** 也适用于 **电力传输系统** 和 **电力电子设备**,如电能质量控制器、**电压调整器** 和其他高压直流系统中。它能够有效承受高电压和较大的电流,适应电力设备中的电力开关和稳定系统的工作需求。
6. **高压开关电路**:
由于其高 **VDS** 值(650V),TF5N50FD-VB 适合用于 **高压开关电路**,例如 **电气保护开关、熔断器替代品** 和 **过压保护电路**。MOSFET 可有效管理并切断过高电压状态下的电流流动,保护电路设备免受损坏。
### 总结
**TF5N50FD-VB TO220F N 沟道 MOSFET** 是一款高压、高效能的开关元件,适用于需要高耐压和低电流工作条件的场合。它的高 **650V** 漏源电压和 **4A** 漏极电流使其在 **高压电源转换器、电动机驱动系统、电池管理系统** 和 **汽车电子应用** 中具有广泛的应用前景。尽管其 **2560mΩ** 的导通电阻较大,但在适当的应用场合中,TF5N50FD-VB 仍能提供卓越的开关性能和高效的能量转换。
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