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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TF11N60-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TF11N60-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:

**TF11N60-VB** 是一款高压N通道MOSFET,采用TO220F封装,适用于高电压电源控制和功率管理系统。该MOSFET的漏源电压(VDS)为650V,栅源电压(VGS)为±30V,具有3.5V的阈值电压(Vth),适合于需要中等电流承载能力和高电压耐受性的应用。其导通电阻(RDS(ON))为680mΩ(在VGS=10V时),最大漏极电流(ID)为12A。TF11N60-VB采用平面(Plannar)技术,提供较低的开关损耗和较高的可靠性,广泛应用于电源转换、电动工具、电池管理系统和工业控制等领域。

### 详细参数说明:

- **封装**: TO220F  
- **配置**: 单N通道  
- **漏源电压 (VDS)**: 650V  
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V  
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V  
- **RDS(ON)**: 680mΩ@VGS=10V  
- **最大漏极电流 (ID)**: 12A  
- **技术**: 平面(Plannar)技术  
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C  
- **最大功耗**: 根据散热条件和工作环境评估  
- **封装特性**: TO220F封装,适合高功率应用,具备良好的热管理性能。

### 应用领域和模块:

**1. 电源管理与高压电源转换系统**  
TF11N60-VB在高压电源转换系统中发挥重要作用,尤其适用于AC-DC和DC-DC电源转换器。它的高耐压能力和较低的导通电阻使其能够高效地开关电流,减少功率损耗,提高电源转换效率。特别是在高压电源模块中,它能有效控制电流,保证系统在高电压下的稳定运行,适用于大功率电源、UPS电源和电力转换系统。

**2. 逆变器与电力电子控制系统**  
由于TF11N60-VB具备650V的高电压耐受能力,适用于逆变器和电力电子控制系统。在太阳能逆变器、风力发电系统和交流电源的逆变器中,TF11N60-VB能够高效地将直流电转换为交流电,并进行电力调节。其较低的RDS(ON)和良好的热性能使得逆变器系统在长时间高效运行中具有较低的能量损失和较好的稳定性。

**3. 电动工具与电池管理系统(BMS)**  
在电动工具和电池管理系统中,TF11N60-VB的高电压和中等电流承载能力,使其适用于高电压电池驱动系统的电流控制。MOSFET能够在电池充放电过程中提供稳定的电流管理,优化电池的使用效率并延长电池寿命。其在电池管理系统中能够有效地调节电池充电电流,提供过电压保护和稳定电压输出。

**4. 电动交通工具(EV)与电池驱动系统**  
TF11N60-VB广泛应用于电动交通工具(如电动汽车、电动摩托车等)的电池驱动系统中。MOSFET通过其高耐压性能管理电池的充电和放电过程,控制电流输出,并确保系统的高效运行。尤其在电动汽车中,它能确保高效的动力传输和电池保护,确保车辆在高电压环境下稳定运行。

**5. 高压开关电源(SMPS)与功率转换**  
在高压开关电源(SMPS)系统中,TF11N60-VB用于电压转换和电流调节,确保电源模块在高电压下工作稳定。MOSFET的平面技术和较低的导通电阻有助于减少电源中的能量损失,提高效率。TF11N60-VB适用于各种高压电气设备,如工业电源、通信电源和电气设备的电力转换系统。

**6. 电气保护与自动化控制系统**  
TF11N60-VB还适用于电气保护和自动化控制系统,尤其在高压电力系统中发挥作用。其能够高效地开关电流,防止过电压和过电流的发生,保护电气设备免受损害。该MOSFET广泛应用于配电系统、电力传输、自动化控制系统等领域,确保整个电气网络的安全稳定运行。

### 总结:
TF11N60-VB凭借其650V的高电压耐受性、680mΩ的低导通电阻以及12A的漏极电流承载能力,适用于多个高压和中等电流负载的应用领域。无论是在电源管理、逆变器、电动工具、电池管理、开关电源还是电气保护系统中,TF11N60-VB都能够提供稳定、可靠的电流控制,并确保系统在高电压环境下的高效、安全运行。

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