--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### SWF830A-VB 产品简介
SWF830A-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 型 MOSFET,基于平面技术(Plannar)设计,具有高耐压和良好的开关性能。该产品的最大漏源电压(V_DS)为 650V,最大漏极电流(I_D)为 7A,适用于各种高压电源和功率转换应用。SWF830A-VB 的导通电阻(R_DS(ON))为 1100mΩ(在 V_GS = 10V 下),使其具备较低的功率损耗,并具有较高的开关效率。其高耐压能力和优良的开关特性使其广泛应用于工业电源、电动工具、电动汽车充电、LED 驱动和各种电源转换模块中。
### SWF830A-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单极 N 型 MOSFET
- **V_DS(漏源电压)**: 650V
- **V_GS(门源电压)**: ±30V
- **V_th(阈值电压)**: 3.5V
- **R_DS(ON)(导通电阻)**: 1100mΩ @ V_GS = 10V
- **I_D(漏极电流)**: 7A
- **技术**: Plannar(平面技术)
- **最大功耗**: 适用于高压和中等功率密度应用
- **最大工作温度**: -55°C 至 +150°C
- **开关特性**: 优良的开关性能,适合高频和高压应用
- **应用领域**: 开关电源、逆变器、LED 驱动电源、电动工具电源等
### 应用领域与模块
1. **高压开关电源(SMPS)**
SWF830A-VB 的高耐压和较低的导通电阻使其非常适合用于高压开关电源(SMPS)。这种应用要求MOSFET在高电压下保持稳定,并且具有良好的导通特性。该 MOSFET 具有低功耗特性,能够在电源适配器、电源模块、UPS电源等系统中提供高效的电能转换。
2. **逆变器**
SWF830A-VB 可应用于太阳能逆变器、电动汽车逆变器以及其他需要高效功率转换的逆变系统。该MOSFET能够承受650V的高电压,并且具有较低的导通电阻和稳定的开关性能,在逆变器中有效转换DC电源至AC输出,满足高效能、稳定性的需求。
3. **LED 驱动电源**
在LED照明驱动电源中,SWF830A-VB 被广泛应用于高效能的能量转换模块。作为LED驱动的关键部分,MOSFET需要处理高压并且具有较低的功率损失,SWF830A-VB的低导通电阻使其能够有效降低LED驱动中的能量浪费,并且提高整体效率,常用于商业照明和高亮度照明系统。
4. **电动工具与家电电源**
电动工具和家电的电源系统要求稳定的功率管理和转换。SWF830A-VB 可以用于电动工具电池管理系统、家电电源模块等高压电源应用。其较高的电流处理能力和良好的电流控制特性,使其在这些领域能够提供高效的电流调节和电力转换。
5. **电动汽车(EV)充电设施**
SWF830A-VB 可用于电动汽车充电站的功率转换系统。电动汽车充电设施通常要求高效率、低功率损耗的电力转换。SWF830A-VB 在650V的工作电压范围内能够提供稳定的电流控制,适合在充电系统中进行高效的电能转化。
6. **工业电源管理**
在工业电源管理系统中,SWF830A-VB 用于高压电源模块及功率转换电路。由于其出色的耐压能力和低导通电阻,它能够在高电压工业设备的电源管理中提供稳定的工作,确保电力系统的高效和可靠性,广泛应用于UPS、数据中心电源和自动化控制系统中。
### 总结
SWF830A-VB 是一款高耐压、低导通电阻的 N 型 MOSFET,适用于高压开关电源、逆变器、LED 驱动、电动工具、电动汽车充电设施以及工业电源管理系统。其优异的开关特性和低功率损耗使其成为各种电源转换应用的理想选择,能够在多个领域中提供高效、可靠的电流控制和能量转换。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12