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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SWF6N65-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SWF6N65-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### SWF6N65-VB MOSFET 产品简介

SWF6N65-VB 是一款高电压、低功率损耗的 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高压应用设计,最大漏源电压为 650V,最大漏极电流为 7A。该 MOSFET 基于 Plannar 技术,具有较高的开关效率和较低的导通电阻(R_DS(ON) 为 1100mΩ,在 V_GS = 10V 时)。SWF6N65-VB 适用于高电压电源转换、电力管理、工业驱动、光伏逆变器和其他高功率应用。

该 MOSFET 的高电压耐受性使其在电源适配器、逆变器、家电、工业自动化以及电动汽车充电系统中具有广泛应用。通过降低开关损耗和功率损耗,SWF6N65-VB 提供了高效的性能,确保在高负载条件下稳定运行。

### SWF6N65-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单极 N 通道 MOSFET
- **最大漏源电压 (V_DS)**:650V
- **最大栅源电压 (V_GS)**:±30V
- **阈值电压 (V_th)**:3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
 - 1100mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流 (I_D)**:7A
- **技术类型**:Plannar

#### 其他特性:
- **高耐压能力**:最大可承受 650V 漏源电压,适用于高压电源应用。
- **低导通电阻**:在 10V 栅电压下,R_DS(ON) 为 1100mΩ,减少了功率损耗,提高了系统效率。
- **较高的热管理性能**:TO220F 封装提供良好的散热能力,适合高功率应用,确保 MOSFET 在长时间工作时的稳定性。

### SWF6N65-VB MOSFET 应用领域与模块

1. **电源管理与电力转换**:
  SWF6N65-VB 是电源管理系统的理想选择,适用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器和电源适配器。它的高电压承受能力和低导通电阻使其在高功率电源系统中表现优异,尤其适合用于家庭电力管理、工业电力供应和电动工具电源。

2. **逆变器与电力驱动系统**:
  SWF6N65-VB 在光伏逆变器、风力发电系统逆变器以及其他工业驱动系统中得到广泛应用。其高耐压和低导通电阻特性使其成为电力逆变模块的核心开关元件,能够高效地将直流电(DC)转化为交流电(AC)并驱动负载。

3. **家电与消费电子**:
  在家电和消费电子领域,SWF6N65-VB 可用于电源适配器、空调、电热水器、洗衣机等电器中的电源管理模块。高电压耐受性和高电流承载能力使其适合在家庭和办公设备的电力供应中使用,提供稳定的电压输出并降低能量损失。

4. **电动汽车与充电系统**:
  SWF6N65-VB 可以用于电动汽车的电池管理系统(BMS)和充电模块中,特别是在电动汽车快速充电系统中。其耐高压特性和低导通电阻有助于提高电池充电效率,并减少在充电过程中的功率损耗,提升系统的整体性能。

5. **高效电源适配器**:
  在各种高效电源适配器中,SWF6N65-VB 作为主开关元件,可以高效地进行电能转换,并保证较低的温升。特别适用于高效充电器、电动工具、音响系统等领域,能够提供稳定的电力输出,同时减少电力浪费。

6. **工业自动化与机器人控制**:
  SWF6N65-VB 的高电压和高电流处理能力使其在工业自动化和机器人控制中具有应用价值。它可用于驱动大型工业电机、控制机器人臂的电源模块以及其他自动化设备,确保系统能够在高负载条件下可靠运行。

### 总结

SWF6N65-VB 是一款高耐压、低导通电阻的 N 通道 MOSFET,适用于多种高功率、高电压和高效率的应用。它的 650V 最大漏源电压能力、7A 漏极电流承载能力和 1100mΩ 导通电阻使其在电源管理、逆变器、电动汽车、电池充电系统等领域具有广泛的应用潜力。该 MOSFET 采用 TO220F 封装,提供良好的热管理和散热性能,能够在高负载条件下稳定工作,为各种电子设备和系统提供高效的电力解决方案。

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