--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### SWF12N65B-VB MOSFET 产品简介
SWF12N65B-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高压应用设计,具有最大漏源电压 (V_DS) 为 650V,最大漏极电流 (I_D) 为 12A,适用于高功率电子设备中。它采用了 Plannar 技术,具有较低的导通电阻 (R_DS(ON)),在 10V 栅源电压下为 680mΩ,能够有效减少开关损耗和功率损耗。
该 MOSFET 的高电压耐受能力和低导通电阻使其适用于各种电源转换、功率管理、逆变器以及工业应用。SWF12N65B-VB 能够为需要高功率、高效率和低热量的应用提供稳定和可靠的性能,是高效电源系统中的理想选择。
### SWF12N65B-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单极 N 通道 MOSFET
- **最大漏源电压 (V_DS)**:650V
- **最大栅源电压 (V_GS)**:±30V
- **阈值电压 (V_th)**:3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 680mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流 (I_D)**:12A
- **技术类型**:Plannar
#### 其他特性:
- **高电压耐受能力**:SWF12N65B-VB 可承受高达 650V 的漏源电压,适用于高压电源系统和工业应用。
- **低导通电阻**:在 10V 栅电压下,导通电阻为 680mΩ,减少了功率损耗,提高了能效。
- **高功率承载能力**:具有最大 12A 的漏极电流能力,适用于高功率负载驱动。
- **良好的热管理性能**:使用 TO220F 封装,提供良好的散热性能,适应高功率应用时的热量需求。
### SWF12N65B-VB MOSFET 应用领域与模块
1. **电源管理与电力转换**:
SWF12N65B-VB 适用于高压电源转换应用,如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、逆变器和电源适配器。它的高耐压和低导通电阻使其能够在高功率应用中保持高效能,适用于不间断电源 (UPS)、电力逆变器等电力管理模块。
2. **工业驱动与电机控制**:
该 MOSFET 的高电流处理能力使其适合应用于工业电机驱动系统中,特别是在需要高压开关的场合,如风机驱动、泵控制、以及自动化设备中的电机控制。SWF12N65B-VB 可以确保电机控制系统的高效能和稳定性,减少损耗并提高可靠性。
3. **光伏逆变器**:
在光伏发电系统中,SWF12N65B-VB 可作为逆变器中的开关元件,用于将直流电 (DC) 转换为交流电 (AC)。它能够处理较高电压且具有低开关损耗,适合用于太阳能光伏逆变器中,帮助提高系统效率并降低能量损耗。
4. **家电和消费电子**:
在家电产品中,SWF12N65B-VB 可用于电源管理系统,特别是在需要高压和大电流传输的电器中,如空调、电热水器、洗衣机等。其高效的功率转换特性帮助提高这些设备的能效,并减少热量产生,延长设备使用寿命。
5. **电动汽车与混合动力汽车**:
SWF12N65B-VB 在电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统和电机驱动模块中也具有重要应用。它能够承受高电压和高电流,非常适合用于电动汽车的电池充放电管理和电动驱动系统,有助于提升车辆性能和动力效率。
6. **高功率充电系统**:
SWF12N65B-VB 也适用于快速充电系统,尤其是那些需要高电压、高电流且高效率的场合,如快速充电站、手机、笔记本电脑的电池充电系统等。其低导通电阻和高耐压特性使其能够在高负载条件下稳定工作,并提供高效充电能力。
### 总结
SWF12N65B-VB 是一款高电压、高功率的 N 通道 MOSFET,适用于各种高功率和高效能要求的应用。其 650V 的漏源电压能力、12A 的漏极电流处理能力和 680mΩ 的低导通电阻使其成为电源管理、工业控制、电动汽车、光伏逆变器等领域的理想选择。该 MOSFET 采用 TO220F 封装,确保良好的热管理和散热性能,适用于高功率电流和高效率转换系统,为各种电气设备提供稳定、可靠和高效的电源解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12