企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

SWF12N60-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SWF12N60-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**SWF12N60-VB** 是一款高压 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,专为要求中高电压应用设计。其漏源电压(V_DS)为 650V,适合处理高电压环境下的电流开关。该 MOSFET 采用 **Plannar** 技术,这种技术能够提供稳定的性能和较高的可靠性,尤其在电压较高的环境下,具有更优的热稳定性和良好的开关特性。

SWF12N60-VB 的阈值电压(V_th)为 3.5V,意味着它可以在较低的栅极驱动电压下启动。导通电阻(R_DS(on))为 680mΩ,在 V_GS = 10V 时,提供了较低的功耗,适用于要求高效率的电力转换系统。最大漏极电流(I_D)为 12A,能够在多种高功率应用中稳定工作。由于其较高的电压承载能力和低功耗特性,SWF12N60-VB 适用于电力开关、逆变器、AC-DC 电源以及其他高压功率电子设备。

### 详细参数说明

- **封装**: TO220F  
- **配置**: 单 N-Channel  
- **漏源电压 (V_DS)**: 650V  
- **栅源电压 (V_GS)**: ±30V  
- **阈值电压 (V_th)**: 3.5V  
- **导通电阻 (R_DS(on))**:  
 - 680mΩ @ V_GS = 10V  
- **最大漏极电流 (I_D)**: 12A  
- **技术**: Plannar  
- **最大功率消耗**: 40W(根据环境温度变化)  
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C  
- **最大脉冲电流**: 40A(峰值)  
- **开关时间**: 优化的开关性能,适合快速开关应用  
- **最大功率损耗**: 40W(依据环境和工作条件)

### 应用领域与模块示例

1. **高效能电源管理系统**  
  SWF12N60-VB 的高耐压和较低的导通电阻使其适用于高电压电源系统,如 **AC-DC 电源适配器**、**开关电源(SMPS)** 和 **功率因数校正(PFC)电路**。它的高效率和低功耗特性非常适合用于提高电源转换效率,减少能量损失,并适应高负载和高电压的应用需求。

2. **逆变器与太阳能光伏系统**  
  在 **DC-AC 逆变器** 和 **太阳能光伏发电系统** 中,SWF12N60-VB 具有稳定的开关特性和高电压耐受性,能够有效地将太阳能产生的直流电转换为交流电,并确保系统运行的高效性和稳定性。特别适用于中到大型的光伏系统,提升能源转换效率。

3. **电动工具和家电应用**  
  SWF12N60-VB 的较高漏源电压和导通电阻使其适合在 **电动工具** 和 **家电电源管理系统** 中应用。它可以有效管理电池的电压,调节电动工具中的电流,确保功率转换的高效性,且能在高负载下稳定工作,提升系统性能和安全性。

4. **工业控制与电力驱动系统**  
  在 **电动机驱动**、**变频器** 和 **工业自动化控制系统** 中,SWF12N60-VB 的高电压耐受能力使其成为电力驱动应用的理想选择。它能够控制大电流,并有效降低功耗,适用于需要高电压控制的工业电力电子设备。

5. **电池管理与充电系统**  
  由于其高电压承载能力,SWF12N60-VB 可应用于 **电动汽车充电系统** 和 **电池管理系统(BMS)**。在这些系统中,MOSFET 能够在充电和电池管理过程中提供可靠的功率切换和电流控制,确保充电过程的高效性和安全性。

6. **电力传输与分配系统**  
  该 MOSFET 还可应用于 **电力传输系统** 和 **高压开关模块**,用于管理和调节高电压电流。它的高电压承载能力和稳定的性能使其适用于电力调度设备和电力系统中的开关操作,确保电力在系统中的安全传输。

SWF12N60-VB 的高电压和高效率特性使其在多个领域中具有广泛的应用,尤其是在电力电子、能源转换和工业自动化控制系统中,是一种理想的开关元件。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    155浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    140浏览量