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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SWF10N65-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SWF10N65-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### SWF10N65-VB MOSFET 产品简介

SWF10N65-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高压、高电流应用而设计,具有 650V 的最大漏源电压(V_DS)和 10A 的最大漏电流(I_D)。其低导通电阻(R_DS(ON) = 830mΩ @ V_GS = 10V)提供较低的功率损耗,适用于功率密集型的电源转换系统。SWF10N65-VB 采用 Plannar 技术,具有优异的开关性能和高电流承载能力,适用于电力电子、工业控制、汽车电子、可再生能源等多个领域。

### SWF10N65-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单极 N 通道
- **最大漏源电压 (V_DS)**: 650V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±30V
- **阈值电压 (V_th)**: 3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**: 830mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 10A
- **最大功耗**: 典型值,具体取决于工作环境与散热条件
- **技术**: Plannar 技术
- **栅电荷 (Q_g)**: 典型值 23nC
- **最大结温**: 150°C
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
- **最大栅电压 (V_GS)**: ±30V
- **封装尺寸**: TO220F(适合高功率散热)
- **开关特性**: 高效开关频率,适用于高频电源应用

### SWF10N65-VB MOSFET 适用领域和模块

1. **电源转换与电力电子**
  - SWF10N65-VB 的 650V 耐压特性和较低的导通电阻使其特别适用于高电压电源转换系统,如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电源模块等。在这些应用中,SWF10N65-VB 能够有效减少导通损耗和开关损耗,显著提高系统效率,并提供高可靠性。

2. **工业控制系统**
  - 在工业自动化和控制领域,SWF10N65-VB 常用于驱动高电压电动机和控制电磁开关等应用。其高耐压和高电流承载能力使其适用于要求高功率控制的工业设备,如电机驱动器、伺服电机控制、变频器等。

3. **汽车电子**
  - 在汽车电源管理系统中,SWF10N65-VB 可用于电动汽车的电池管理、DC-DC 转换器和电动驱动系统。其 650V 的耐压特性使其适合高压电池和充电系统,能够高效地调节电池电流和电压,确保电池管理系统的稳定性和效率。

4. **电动工具**
  - 在电动工具中,SWF10N65-VB 可用于电动工具电机驱动电路,帮助实现电机的高效控制和调速。由于其 10A 的最大漏电流,该 MOSFET 能够支持高功率电动工具,如电动钻、锯子、螺丝刀等,提供较低的能耗和较长的使用寿命。

5. **家电与消费电子**
  - SWF10N65-VB 也广泛应用于家电电源系统中,如高效电源适配器、LED 驱动电源等。其高电压和高电流能力,使其能够在家电领域提供稳定的功率输出和高效的电源管理,提升产品性能并降低能耗。

6. **可再生能源系统**
  - 在太阳能发电和风能发电等可再生能源系统中,SWF10N65-VB 可用于逆变器和电源转换模块,将直流电转换为交流电,以供电网使用。该 MOSFET 的 650V 耐压特性使其能够承受高电压环境,并提供高效率的转换。

7. **电池充放电管理**
  - SWF10N65-VB 也可以应用于电池充电管理系统中,特别是大容量电池组的充放电过程中。在这些应用中,MOSFET 的低导通电阻和高电压承载能力能够确保电池的稳定充电,避免过热和过压问题,从而延长电池寿命。

### 总结

SWF10N65-VB 是一款高电压、高电流承载能力的 N 通道 MOSFET,具有 650V 的最大漏源电压和 10A 的最大漏电流,适用于电源转换、电动工具、电池管理、电动驱动、工业控制、可再生能源等多个领域。其低导通电阻和良好的开关特性使其在高效能电源系统和高电压应用中表现出色,能够提供较低的功率损耗和更高的系统效率,是多种功率密集型应用中理想的选择。

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