--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### SW8N60D-VB 产品简介
SW8N60D-VB 是一款采用 TO220F 封装的 N 型功率 MOSFET,设计用于高电压、高功率应用。它具有最大漏源电压(V_DS)650V,最大漏极电流(I_D)10A,且采用了 Plannar 技术,能够提供较低的导通电阻(R_DS(ON))和较好的开关性能。SW8N60D-VB 是高效能电力控制和转换系统中理想的开关元件,能够有效地降低开关损耗,提高系统效率,广泛应用于电力转换、电源管理、工业自动化等多个领域。
### SW8N60D-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单极 N 型 MOSFET
- **V_DS(漏源电压)**: 650V
- **V_GS(门源电压)**: ±30V
- **V_th(阈值电压)**: 3.5V
- **R_DS(ON)(导通电阻)**: 830mΩ @ V_GS = 10V
- **I_D(漏极电流)**: 10A
- **技术**: Plannar
- **最大功耗**: 适应系统功耗条件
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **开关损耗**: 优化开关特性,适合高频开关应用
- **最大开关频率**: 高效的开关响应,适用于高频应用
- **电流控制能力**: 提供高效的电流控制,适用于电源管理和转换
SW8N60D-VB MOSFET 使用了 Plannar 技术,适合在较高电压下进行高效的功率转换。其较低的导通电阻和较高的耐压能力使其在高效电源管理、逆变器和高频开关应用中表现出色。
### 应用领域与模块
1. **开关电源(SMPS)**
在开关电源(SMPS)中,SW8N60D-VB 可用于高电压电源模块(如 AC-DC 和 DC-DC 转换器),实现高效的功率转换。其 650V 的耐压能力使其非常适合用于工业电源、家电电源适配器等系统中,能够有效控制电压和电流,同时降低能量损失,提升系统效率。
2. **电力逆变器**
SW8N60D-VB 在电力逆变器中的应用广泛,尤其是用于太阳能逆变器和风力发电逆变器。其高耐压和较低的导通电阻使其在高频开关和大功率转换中能够提供更高的效率和稳定性。特别适用于需要高效能的电力转换系统,确保稳定和持续的能源输出。
3. **不间断电源(UPS)**
在不间断电源(UPS)系统中,SW8N60D-VB 提供高效的电力转换解决方案。由于其 650V 的高耐压和低导通电阻,SW8N60D-VB 在 UPS 系统中能够处理较高的输入电压,同时确保高效、稳定的电力转换,在电力中断时为设备提供可靠的备份电源。
4. **电动汽车(EV)和电池管理系统**
电动汽车的充电系统和电池管理系统(BMS)对 MOSFET 具有极高的要求,特别是在高电压和大电流控制方面。SW8N60D-VB 的 650V 耐压能力和 10A 漏极电流使其成为电动汽车系统中的理想选择,尤其在电池管理、电池充放电控制和动力转换系统中发挥重要作用。
5. **工业电力控制与自动化**
SW8N60D-VB 可用于工业电力控制和自动化系统,特别是在需要高电压和高电流控制的场合。其高耐压和高电流能力使其在驱动电动机、电力调度和其他高功率控制模块中提供高效能和可靠性。
6. **家电电源管理**
在家电电源管理中,SW8N60D-VB 能够提供有效的功率控制,特别是在空调、电冰箱、洗衣机等大功率家电中,负责高效的电能转换。它能够确保家电在高电压环境下的稳定运行,并提高能源效率,减少电能损耗。
7. **照明控制和电力调节**
SW8N60D-VB 还适用于各种照明控制和电力调节应用。在智能照明和大功率照明系统中,MOSFET 作为开关元件可帮助提高能效、延长灯具寿命,同时优化电能利用效率,满足高效、精确调节需求。
8. **电力变换与电力分配**
在大功率电力转换与电力分配系统中,SW8N60D-VB 可用于控制和调节电流的流动,确保在电力转换过程中保持高效和低损耗,适用于电网、电力变电站和其他大型电力设施。
### 总结
SW8N60D-VB 作为一款高性能的 N 型 MOSFET,凭借其高耐压、低导通电阻和较高的电流承载能力,广泛应用于电源转换、电力管理、工业自动化、逆变器、电动汽车等多个领域。它在高电压环境下提供稳定、可靠的电流控制和功率转换,是实现高效能电力系统的关键组件。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12