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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SW6N60K-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SW6N60K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### **SW6N60K-VB MOSFET 产品简介**

SW6N60K-VB 是一款高压单N通道MOSFET,采用TO220F封装,具有650V的漏源电压(VDS),非常适用于需要高电压控制和开关的电子应用。该型号的导通电阻(RDS(ON))为830mΩ(在VGS=10V时),具备较高的电流承载能力,最大漏电流可达10A。SW6N60K-VB采用Plannar技术,能够在高电压、高电流的应用中稳定运行,提供优良的功率转换效率。

凭借其低的导通电阻和高耐压能力,SW6N60K-VB被广泛用于各种电源管理、电能转换和功率调节系统。它的3.5V阈值电压使其在较低的门源电压下便可正常导通,适用于高效能的功率转换模块中。该产品特别适合应用于开关电源、逆变器以及工业控制系统等需要高电压保护和高电流导通的场合。

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### **SW6N60K-VB MOSFET 详细参数说明**

| **参数**                  | **描述**                                      |
|---------------------------|-----------------------------------------------|
| **型号**                  | SW6N60K-VB                                   |
| **封装类型**              | TO220F                                       |
| **配置**                  | 单N通道(Single-N-Channel)                  |
| **最大漏源电压(VDS)**    | 650V                                         |
| **门源电压(VGS)**        | ±30V                                         |
| **阈值电压(Vth)**       | 3.5V                                         |
| **导通电阻(RDS(ON))**   | 830mΩ@VGS=10V                                |
| **最大漏电流(ID)**       | 10A                                          |
| **技术**                  | Plannar                                      |
| **最大功耗**              | 50W(根据负载条件和工作环境变化)           |
| **工作温度范围**           | -55°C 到 +150°C                              |
| **门源电压开关范围**       | ±20V                                         |

### **特性与优势**  
- **高耐压能力**:最大650V的漏源电压使SW6N60K-VB在高电压应用中表现出色,适用于对耐压要求高的电源转换系统。
- **低导通电阻**:导通电阻830mΩ(在VGS=10V时),减少了功率损失,提升了电源系统的整体效率。
- **高电流承载能力**:最大漏电流为10A,适用于需要较大电流流通的应用。
- **低门电压启动**:3.5V的阈值电压允许在较低的门源电压下正常工作,提供良好的开关特性。
- **广泛工作温度范围**:从-55°C到+150°C的工作温度范围,确保产品能够在各种极端环境下稳定工作。

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### **SW6N60K-VB MOSFET 的应用领域和模块举例**

1. **开关电源(SMPS)**  
  SW6N60K-VB广泛应用于开关电源(SMPS)中,尤其适用于AC-DC转换、DC-DC转换和DC-AC逆变器等高电压电源系统。由于其650V的高耐压特性,它能够在高电压输入的环境中稳定工作,减少功率损耗,提高系统效率。其830mΩ的导通电阻对于要求低损耗的电源系统尤为重要。

2. **逆变器(Inverters)**  
  在太阳能逆变器、电动工具逆变器、电力逆变器等应用中,SW6N60K-VB作为主要的开关元件,提供高电压和高电流的处理能力。该MOSFET的650V耐压能力使其能够处理较大的输入电压,并且在逆变器的开关控制中保持高效能。

3. **电动汽车和电池管理系统(BMS)**  
  在电动汽车(EV)的电池管理系统中,SW6N60K-VB用于电池电压和电流的调节。它的高电流承载能力和高耐压性能,使其在电动汽车的功率调节和电池充电/放电控制中表现优异,提供可靠的功率转换与电池保护。

4. **高频功率放大器(Power Amplifiers)**  
  SW6N60K-VB可以作为高频功率放大器中的开关元件,尤其是在高电压应用中,如广播发射器和通信系统等。它能够提供稳定的开关性能,确保在高功率和高电压环境下工作。

5. **工业电源与电机驱动控制**  
  SW6N60K-VB适用于工业电源模块和电机驱动控制应用。由于其较低的导通电阻,它能够减少电能浪费,在工业设备的驱动系统中提供高效的功率转换。其10A的电流承载能力,使其能够应对复杂的负载条件和高功率要求。

6. **家电和消费电子**  
  在家电(如空调、冰箱、电风扇等)以及一些消费电子设备中,SW6N60K-VB可用于高效电源管理、控制开关和功率调节模块。由于其能够在高电压环境下高效工作,它在这些设备中能够确保稳定性和高效能的电力供应。

7. **电力控制系统**  
  在大型电力控制系统(如UPS系统、配电板等)中,SW6N60K-VB的高耐压特性和大电流承载能力使其能够有效地控制电力流动,并保护系统免受过电流和过电压的损害。其低导通电阻有助于提升整个系统的能源效率。

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总结来说,SW6N60K-VB是一款非常适合中高电压应用的MOSFET,具有650V的最大漏源电压和10A的最大漏电流,能够在高电压和高电流条件下提供稳定、高效的开关性能。其广泛应用于开关电源、逆变器、电池管理、电动工具、工业电源等多个领域,特别适合需要高耐压、低导通电阻的功率转换系统。

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