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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SW12N65DA-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SW12N65DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介(SW12N65DA-VB)

SW12N65DA-VB 是一款采用 TO220F 封装的高性能 N 通道 MOSFET,设计用于高电压、高效能的开关电源和功率转换应用。该 MOSFET 最大承受电压为 650V,适合用于需要承载高电压的电源管理系统。它的栅源阈值电压(Vth)为 3.5V,且最大漏电流(ID)为 12A,能够满足中等功率的开关控制需求。SW12N65DA-VB 采用 Plannar 技术,具有较低的导通电阻(R_DS(ON) = 680mΩ 在 V_GS = 10V 时),能够提供高效的电流开关性能,特别适用于高效能电源系统以及电动机驱动模块。

这款 MOSFET 的设计特别适合用于中高压直流电源、工业控制、功率调节系统及其他需要承受高电压和大电流的电源管理模块。由于其低导通电阻,SW12N65DA-VB 能够在较低功率损耗的情况下提供可靠的电流控制,从而提升系统的整体效率。

### 2. 详细参数说明

- **型号**:SW12N65DA-VB  
- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:Single-N-Channel  
- **最大漏源电压(V_DS)**:650V  
- **最大栅源电压(V_GS)**:±30V  
- **栅源阈值电压(V_th)**:3.5V  
- **导通电阻(R_DS(ON))**:680mΩ @ V_GS = 10V  
- **最大漏电流(I_D)**:12A  
- **技术**:Plannar  
- **最大功率耗散(P_D)**:75W  
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C  
- **热阻**:  
 - **RθJC**:3°C/W  
 - **RθJA**:55°C/W(典型值)

### 3. 适用领域和模块

**1. 高压电源系统:**  
SW12N65DA-VB 非常适合用于高压电源转换系统,如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器和开关电源(SMPS)等。这些电源系统需要高电压承载能力和高效能的电流开关,SW12N65DA-VB 的 650V 最大漏源电压和 12A 最大漏电流使其在此类应用中非常适用。它能够有效地减少功率损耗,提升电源转换的效率。

**2. 工业电源管理:**  
在工业自动化和控制系统中,SW12N65DA-VB 可用于高压电源管理与控制系统中,特别是在电动机驱动和工业设备的电力供应模块中。其耐高压特性使其能够承受工业级负载电流,并且通过较低的导通电阻提高整体系统的能效。适用于如自动化生产线、工业机器人、电力控制系统等设备的电力转换和驱动模块。

**3. 电动机驱动系统:**  
SW12N65DA-VB 可以用于电动机驱动系统,尤其是在中高功率的电动机控制中,如电动工具、电动运输工具(如电动叉车、传送带)等。其较高的电压承载能力和较低的导通电阻,能够有效减少电动机控制系统中的功率损耗,同时提高电动机驱动系统的稳定性和效率。

**4. 电力转换设备:**  
该 MOSFET 在电力转换设备中具有广泛的应用,尤其是在太阳能逆变器、电力变换装置和能源存储系统中。它能够在这些高电压环境中提供稳定的电流控制和电压调节,保障能源转换过程的高效性和可靠性。SW12N65DA-VB 的高效电流切换能力使其特别适合高效能源管理系统。

**5. 电动汽车(EV)充电系统:**  
SW12N65DA-VB 同样适用于电动汽车的充电模块。在电动汽车充电过程中,需要将高压电源转换为适合电池的电压,并控制充电过程中的电流。SW12N65DA-VB 提供了稳定的高电压承受能力和高效的电流开关性能,能够有效支持电动汽车充电系统中的功率转换和电池管理。

**6. 高压直流电机控制:**  
在高压直流电机控制系统中,SW12N65DA-VB 提供了可靠的功率开关功能,适用于如电梯、升降机、电力驱动系统等领域。它的低导通电阻特性有助于提高系统效率,特别是在需要高电压电流调节的电力控制模块中。

### 总结

SW12N65DA-VB 是一款适用于高压电源、工业控制和电动机驱动等领域的 N 通道 MOSFET。它具有 650V 的最大漏源电压、12A 的最大漏电流和 680mΩ 的导通电阻,能够高效地切换电流并承载高电压,特别适用于高效能电源系统、工业电源管理和电动机驱动应用。凭借其 Plannar 技术和高电流开关能力,SW12N65DA-VB 在减少功率损耗、提升系统效率方面具有显著优势,广泛应用于电力转换、工业自动化、电动汽车充电和高压直流电机控制等领域。

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