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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SW10N60D-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SW10N60D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. **产品简介**

**SW10N60D-VB** 是一款采用 TO220F 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,专为高电压应用设计。其最大漏源电压(VDS)为 650V,适合在高电压电源转换和功率管理系统中使用。此款 MOSFET具有最大漏极电流(ID)为 10A,低至 830mΩ 的导通电阻(RDS(ON))确保了较低的开关损耗和功率损耗,从而提高了系统的总体效率。其阈值电压(Vth)为 3.5V,能够提供稳定的开关操作,在不同工作条件下表现出色。**SW10N60D-VB** 采用 **Plannar 技术**,具备良好的热稳定性和电流承载能力,广泛适用于工业电源、家电电源、开关电源(SMPS)以及其他高电压电源转换应用。

### 2. **详细的参数说明**

- **型号**:SW10N60D-VB  
- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单 N 沟道(Single-N-Channel)  
- **最大漏源电压(VDS)**:650V  
- **栅源电压(VGS)**:±30V  
- **阈值电压(Vth)**:3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON))**:  
 - 830mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏极电流(ID)**:10A  
- **技术**:Plannar技术  
- **输入电容(Ciss)**:约为 700pF @ VDS = 400V, VGS = 0V  
- **开关时间**:典型上升时间和下降时间均为几十纳秒  
- **最大功耗**:约为 50W  
- **工作温度范围**:-55°C 到 +150°C  
- **封装尺寸**:TO220F 封装,适合高功率散热应用

### 3. **应用领域及模块举例**

1. **开关电源(SMPS)**
  - 在开关电源(SMPS)应用中,**SW10N60D-VB** MOSFET能够高效地进行功率转换。低导通电阻(830mΩ)减少了转换过程中的能量损失,因此广泛用于高效的DC-DC和AC-DC电源模块中。尤其在高压电源应用中,650V 的额定电压使其能够稳定地承载大电压,从而提高电源效率和稳定性。

2. **工业电源管理系统**
  - 在工业电源管理系统中,**SW10N60D-VB** 常用于控制高电压电流的流动。它在变频器、伺服驱动器和工业AC-DC电源模块中应用,能够在要求高功率、快速开关的系统中有效控制电流,从而提高系统的运行效率。

3. **电动工具电源**
  - 在电动工具(如电钻、砂轮机等)中,**SW10N60D-VB** MOSFET被用来作为功率转换的关键部件。由于其高电压承受能力和稳定的开关性能,它能够支持电动工具的电池管理系统,并在充电和放电过程中提供稳定、高效的电力流动。

4. **家电电源**
  - **SW10N60D-VB** 在家电领域中,特别是在电视、空调、微波炉等电器的电源模块中具有广泛应用。650V的高耐压特性使其能够应对家电中的电源波动,保持电源供应的稳定性。其低RDS(ON)有助于减少电源的能量损耗,从而提升家电产品的能效。

5. **电力逆变器**
  - 在太阳能逆变器等电力逆变系统中,**SW10N60D-VB** MOSFET能够在高电压条件下稳定工作,并高效地将直流电(DC)转换为交流电(AC)。这种MOSFET在系统中扮演着核心角色,通过其出色的开关特性,提升整体电力转换效率。

6. **电池管理系统(BMS)**
  - 在电池管理系统中,特别是用于大电池组的高压管理,**SW10N60D-VB** MOSFET可以高效地控制电池的充放电过程。其低RDS(ON)值和良好的高电压性能使其成为电池组保护电路和电池平衡电路中的理想选择。

7. **电力变压器保护**
  - 在电力变压器的保护模块中,**SW10N60D-VB** MOSFET能够在高电压和大电流条件下起到重要的保护作用。通过其高电压耐受性,该MOSFET可以快速切断电流,防止过电流损坏变压器或其他高压设备,提升系统的安全性。

8. **电子变频器**
  - 在各种变频器中,特别是电机驱动系统中,**SW10N60D-VB** MOSFET能够稳定控制电机的启动、运行和停止。它的低导通电阻保证了电流的高效传导,并帮助提高变频器的整体效率,从而降低系统的能量损失。

### 总结

**SW10N60D-VB** 是一款高性能的N沟道MOSFET,具有650V的高耐压能力和低至830mΩ的导通电阻,非常适合用于高电压、高功率的电源转换和功率管理系统。它适用于开关电源、工业电源、电动工具、家电电源、电力逆变器、电池管理系统等领域,能够有效提升电力转换效率、减少能量损耗,并提供稳定的电流控制。其可靠的性能和较高的功率承载能力使其在多种高电压应用中得到了广泛的应用。

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