--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**SVS4N60F-VB MOSFET**
**产品简介:**
SVS4N60F-VB是一款高耐压、高效能的N沟MOSFET,采用TO220F封装,专为高压应用设计。它的漏源电压(VDS)可达650V,能够承受较高的电压输入,广泛用于电源管理、逆变器、电力转换等领域。该MOSFET具有较高的耐压和较低的导通电阻(RDS(ON)=2560mΩ@VGS=10V),最大漏极电流(ID)为4A,栅源电压(VGS)最大为±30V,阈值电压(Vth)为3.5V。SVS4N60F-VB采用Plannar技术,提供良好的开关性能和稳定的电流承载能力,特别适用于高压、低电流应用的环境。
**详细参数说明:**
- **封装形式:** TO220F
- **配置:** 单极N沟
- **漏源电压(VDS):** 650V
- **栅源电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 2560mΩ@VGS=10V
- **最大漏极电流(ID):** 4A
- **技术类型:** Plannar技术
**应用领域和模块示例:**
1. **高压电源管理:**
SVS4N60F-VB广泛应用于AC-DC电源转换器和DC-DC变换器中,尤其适用于要求高耐压和较低电流的电源管理应用。其650V的漏源电压使其能够应对电力设备中的高电压波动,保证电源模块、充电器和适配器的稳定性。其较低的导通电阻确保了能效转换,适合电力转换需求较高的场合。
2. **逆变器和变频器:**
在逆变器、变频器和电机驱动系统中,SVS4N60F-VB表现出色,尤其适用于高电压的直流电(DC)到交流电(AC)转换。它能够稳定地工作在高压环境下,提供高效能和较低的开关损耗,是这些设备中理想的开关元件。
3. **太阳能电池板逆变器:**
SVS4N60F-VB适用于太阳能逆变器,特别是将太阳能电池板的直流电转换为交流电的系统。由于其高耐压和稳定的开关特性,该MOSFET能够在大功率和高电压环境下提供可靠的功率转换,确保太阳能系统高效运行。
4. **工业电源系统:**
该MOSFET在工业电源管理、可编程电源模块和电力调度系统中有广泛应用。其较高的漏源电压(650V)和最大电流(4A)使其适合于中等功率的电力控制和转换设备。无论是用于电机驱动、焊接设备,还是其他工业应用,SVS4N60F-VB都能提供稳定、高效的性能。
5. **家电和消费电子:**
SVS4N60F-VB也适用于家电和消费电子产品,尤其是需要高电压控制和电力转换的产品。它能够高效处理电源输入,适用于电视、音响设备和空调等家电中的电源管理模块。在这些产品中,SVS4N60F-VB能够有效地减少能量损失,提高工作效率。
6. **电动工具:**
该MOSFET适用于电动工具中的电源管理系统,特别是用于高功率的电动工具,如电钻、电锯等。其较高的漏源电压和稳定的开关性能确保了工具在运行中的电力转换效率和安全性。
**总结:**
SVS4N60F-VB是一款650V耐压、4A电流承载能力的N沟MOSFET,采用Plannar技术,适用于高电压环境中的功率转换、逆变器、电源管理等应用。它的低导通电阻和稳定的开关性能使其在电力电子、太阳能系统、工业控制和家电设备中都能提供优异的表现,是高压电源模块、电动工具和高效逆变器的理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12