企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

SVF8N65F-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SVF8N65F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介(SVF8N65F-VB)

SVF8N65F-VB 是一款高电压 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压和大电流应用设计。该 MOSFET 的最大漏源电压(V_DS)为 650V,栅源阈值电压(V_th)为 3.5V,最大栅源电压(V_GS)为 ±30V,适用于各种高电压控制与开关应用。SVF8N65F-VB 在栅电压 10V 时具有 1100mΩ 的导通电阻(R_DS(ON)),可在最大漏电流 7A 下提供稳定的性能。

采用 **Plannar** 技术,SVF8N65F-VB 提供了高可靠性和高效能,适用于电力电子设备、开关电源、电池管理系统和电力保护等应用。其稳定的开关特性和较低的导通损耗使其能够在高电压工作环境中实现高效能的电流控制和功率管理。

### 2. 详细参数说明

- **型号**:SVF8N65F-VB
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源电压(V_DS)**:650V
- **最大栅源电压(V_GS)**:±30V
- **栅源阈值电压(V_th)**:3.5V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
 - 1100mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流(I_D)**:7A
- **技术**:Plannar
- **最大功率耗散(P_D)**:90W(最大值,依照具体条件)
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **热阻**:
 - **RθJC**:2°C/W(封装到芯片接触处)

### 3. 适用领域和模块

**1. 开关电源(SMPS):**  
SVF8N65F-VB 适用于高电压开关电源系统,特别是在涉及电力转换、稳压和电源调节的应用中。它的高电压耐受能力(650V)使其非常适合用于 AC-DC 电源转换器、DC-DC 电源模块等设备。其低导通电阻特性确保在高电流工作环境下能够提供较低的功率损耗和高效的能量转换。

**2. 电力电子设备:**  
在电力电子领域,SVF8N65F-VB 被广泛应用于电力控制系统,如直流电源调节器、电池充电器、功率放大器等设备中。它的高电压承受能力和较低的导通电阻确保了系统在高压环境下能够高效工作,特别适合用于电动工具、电动机驱动器和电力变换器等中等功率的应用。

**3. 电动交通工具(如电动汽车、电动自行车):**  
SVF8N65F-VB 还可以应用于电动交通工具(如电动汽车、电动摩托车、电动自行车等)的电池管理系统(BMS)和电力转换系统中。MOSFET 可用于控制电池的充放电过程,保护电池免受过电压和过电流损害,确保电动交通工具在运行时的安全性和高效性。

**4. 电力保护系统:**  
该 MOSFET 可用于高压电力保护系统中,如过电流保护、电压过载保护等。它能够稳定地控制电源的开关,防止过载情况对设备造成损害,并在故障条件下迅速切断电流,保证系统的安全运行。它还适用于功率限制、过电压保护以及电力切换系统。

**5. 家电和消费电子设备:**  
在家电电源系统中,SVF8N65F-VB 可用于各类家电设备的电源控制模块,如空调、电动工具、电视机和其他高功率消费电子设备。在这些设备中,它提供稳定的电流调节和高效的能量转换,保证家电系统能够在较高的电压下安全、可靠地运行。

**6. 工业自动化设备:**  
在工业自动化设备中,SVF8N65F-VB 可以作为电力开关元件用于各种高电压驱动和电源模块。例如,工业设备中的电机驱动系统、机器人控制系统以及大功率控制单元等。由于其耐高压和低导通电阻特性,它非常适合用于需要高电压承受能力的工业电力控制系统。

### 总结

SVF8N65F-VB 是一款适用于高电压环境的 N 通道 MOSFET,具备 650V 的漏源电压耐受能力。它广泛应用于电源管理、电力电子设备、电动交通工具、电力保护模块等多个领域,特别适合于开关电源、功率转换系统和高电压应用中的功率调节与管理。其稳定的开关特性和低功耗表现使其成为电力电子和工业自动化领域的重要元件。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    155浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    140浏览量