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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SVF8N60AF-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SVF8N60AF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### SVF8N60AF-VB MOSFET 产品简介

**型号:** SVF8N60AF-VB  
**封装类型:** TO220F  
**配置:** 单极性N沟道(Single-N-Channel)  
**最大漏源电压(VDS):** 650V  
**最大栅源电压(VGS):** ±30V  
**栅源阈值电压(Vth):** 3.5V  
**导通电阻(RDS(ON)):** 830mΩ @ VGS = 10V  
**最大漏极电流(ID):** 10A  
**技术:** Plannar  

SVF8N60AF-VB是一款采用TO220F封装的650V N沟道MOSFET,具有良好的耐压和导通特性,适合中高功率应用。该MOSFET的最大漏极电流为10A,导通电阻为830mΩ(VGS = 10V),能够有效减少功率损耗并提高效率。SVF8N60AF-VB采用Plannar技术,适用于需要高耐压和高电流承载的电力管理和开关应用。它的栅源阈值电压为3.5V,可以在较低的栅电压下进行有效控制,满足各种工业和消费电子设备的需求。

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### SVF8N60AF-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型:** TO220F  
- **配置:** 单极性N沟道(Single-N-Channel)  
- **最大漏源电压(VDS):** 650V  
- **最大栅源电压(VGS):** ±30V  
- **栅源阈值电压(Vth):** 3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON)):** 830mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏极电流(ID):** 10A  
- **最大功耗(Pd):** 50W  
- **工作温度范围:** -55°C 到 +150°C  
- **栅极电荷(Qg):** 22nC  
- **反向恢复时间(trr):** 150ns  

SVF8N60AF-VB能够承受高达650V的漏源电压,适用于高电压应用。其导通电阻为830mΩ,在较低的栅电压下提供良好的导电性能,并有效降低功率损耗。最大漏极电流为10A,能够应对中功率系统的需求。该MOSFET的工作温度范围为-55°C到+150°C,使其适应多种工业应用环境。栅极电荷(Qg)为22nC,具有良好的开关性能,适合高频开关操作。

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### SVF8N60AF-VB MOSFET 应用领域与模块举例

**1. 电源管理与电源开关(Power Management and Power Switching)**  
SVF8N60AF-VB可用于电源管理模块,尤其适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器中。它的650V耐压和830mΩ的导通电阻使其成为高效电力转换的理想选择。尤其适合用于高压电源模块的功率开关部分,能够提供稳定的电流控制和功率输出。

**2. 工业电力系统(Industrial Power Systems)**  
由于其较高的耐压和导通电阻性能,SVF8N60AF-VB也广泛应用于工业电力系统中,特别是变频器、电动机驱动系统等领域。它能够有效控制电流并提供高效的功率转换,确保工业设备的稳定运行。它适合用于驱动中功率负载,如电动机控制系统和工业自动化设备中的功率模块。

**3. 电动工具与家电设备(Power Tools and Appliances)**  
该MOSFET也适用于电动工具和家用电器的电源管理和开关控制。特别是在电动工具的功率开关、家用电器的变速控制和电池管理系统中,SVF8N60AF-VB能够提供高效的电流转换和开关性能,提升电池续航能力和整体设备性能。

**4. 电动汽车与充电系统(Electric Vehicles and Charging Systems)**  
在电动汽车的充电系统中,SVF8N60AF-VB可以作为功率开关用于电池充电器或功率变换模块。其650V耐压使其适用于电池管理系统(BMS)和充电控制模块,尤其是在高压电池组的充放电控制中。它能够提供高效、低损耗的电流转换,确保电池充电过程的稳定性和效率。

**5. 逆变器与可再生能源系统(Inverters and Renewable Energy Systems)**  
SVF8N60AF-VB广泛应用于太阳能逆变器、风能发电系统等可再生能源领域。其650V的耐压和较低的导通电阻使其能够在高电压条件下高效工作,适合用于光伏发电系统中的功率转换和逆变器模块。该MOSFET能够确保高效的电力传输和转换,提升可再生能源系统的整体能效。

**6. 电力因数校正(PFC)和UPS系统(Uninterruptible Power Supplies)**  
在电力因数校正(PFC)和不间断电源(UPS)系统中,SVF8N60AF-VB能够作为功率开关元件使用。它的高耐压和中等电流承载能力,使其在这些要求高效率、高可靠性的电力管理系统中发挥重要作用。它可以用于实现高效的电源转换和电流控制,从而优化电力因数并提供不间断的电力供应。

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### 总结

SVF8N60AF-VB是一款650V耐压、10A电流承载能力的N沟道MOSFET,采用TO220F封装,适用于中高压电源开关和功率转换应用。它具有较低的导通电阻(830mΩ@VGS=10V),能够有效减少功率损耗,提高系统效率。适用于电源管理、电动工具、工业电力系统、电动汽车充电系统、逆变器和可再生能源系统等领域。通过其优秀的开关性能和高效能,SVF8N60AF-VB能够提供稳定、可靠的电流控制,满足各类高效功率转换的需求。

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