企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

SVF7N65AF-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SVF7N65AF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介(SVF7N65AF-VB)

SVF7N65AF-VB 是一款高电压 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压开关应用而设计。该型号的最大漏源电压(V_DS)为 650V,使其非常适合应用于高电压环境下的电子设备。采用传统的 **Plannar** 技术,SVF7N65AF-VB 具有良好的导通性能和稳定的开关特性,尤其适用于中等功率的开关电源、电力电子设备和保护电路。

其栅源阈值电压(V_th)为 3.5V,意味着该 MOSFET 在较低的栅源电压下就可以开启,并且能够承受较高的栅源电压(±30V)。该 MOSFET 的最大漏电流(I_D)为 7A,并且其导通电阻在栅电压 10V 时为 1100mΩ,这保证了在实际应用中其具有较高的开关效率和较低的功率损耗。

SVF7N65AF-VB 适合用于需要高电压承受能力的电源管理系统、电力保护模块、功率开关系统及家电和工业电力控制设备中。

### 2. 详细参数说明

- **型号**:SVF7N65AF-VB
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源电压(V_DS)**:650V
- **最大栅源电压(V_GS)**:±30V
- **栅源阈值电压(V_th)**:3.5V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
 - 1100mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流(I_D)**:7A
- **技术**:Plannar
- **最大功率耗散(P_D)**:90W(最大值,依照具体条件)
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **热阻**:
 - **RθJC**:2°C/W(封装到芯片接触处)

### 3. 适用领域和模块

**1. 开关电源(SMPS):**  
SVF7N65AF-VB 适用于各种开关电源(SMPS)应用,特别是在电力转换和高电压管理中。它的高电压承受能力(650V)使其能够用于电源适配器、逆变器、电压转换器等设备中。在开关电源中,MOSFET 扮演着关键的角色,用来调节电流和控制电压,从而实现高效的电源转换。

**2. 电力电子设备:**  
在电力电子领域,SVF7N65AF-VB 能够处理高电压环境下的功率控制需求。它广泛应用于电力变换器、DC-DC 电源转换器、AC-DC 电源模块等系统,特别是在需要承受650V高电压的场合。它可用于电池充电器、电动工具的电源模块、以及小型电动驱动控制系统中。

**3. 工业电力系统:**  
该 MOSFET 在工业电力系统中,尤其是涉及高电压和大功率负载的设备中得到了广泛应用。比如,电动机控制器、工业加热系统、以及电力调度系统中的开关控制模块。SVF7N65AF-VB 提供稳定的功率开关性能,能有效应对电力系统中的负载波动和电流变化。

**4. 家电电源控制:**  
SVF7N65AF-VB 也可以应用于家电中的电源控制系统,例如高功率电动工具、空调、电视机等设备中的电源模块。它能够在高电压环境下保持高效的开关性能,并提供稳定的电流流动控制。在这些家电设备中,MOSFET 常常用来控制电压、调节电流,或作为功率放大器的开关元件。

**5. 电力保护模块:**  
该 MOSFET 在电力保护系统中,尤其是过压、过载保护电路中应用广泛。在电力设备中,SVF7N65AF-VB 可以作为过压保护、过电流保护等模块的核心开关元件,当电流或电压超出设定范围时,能够快速切断电源,防止设备损坏。

**6. 电动交通工具:**  
由于其稳定的开关性能和高电压承受能力,SVF7N65AF-VB 也非常适合应用于电动交通工具(如电动自行车、电动摩托车、电动汽车等)的电力系统。它可以用于电池管理系统(BMS)中,帮助管理电池充电和放电过程,保证电池的安全性和电动交通工具的高效能。

### 总结

SVF7N65AF-VB 是一款具有 650V 耐压的高电压 N 通道 MOSFET,适用于需要高电压开关的各种应用场景。无论是在开关电源、电力电子设备、工业电力系统、家电电源控制,还是电力保护模块中,这款 MOSFET 都能提供稳定的开关性能和较低的功率损耗。它的高电压承受能力和相对较低的导通电阻使其成为多种高电压、高功率应用的理想选择。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    159浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    140浏览量