企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 78 粉丝

SVF5N60AF-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SVF5N60AF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介

**SVF5N60AF-VB** 是一款采用 Plannar 技术的 N 通道 MOSFET,封装为 TO220F。它的最大漏极电压(V_DS)为 650V,适用于高压电力应用。该 MOSFET 的最大栅源电压(V_GS)为 ±30V,能够支持广泛的驱动电压。开启电压(V_th)为 3.5V,确保能够在低电压条件下实现可靠的开关操作。导通电阻(R_DS(ON))为 1100mΩ(@ V_GS = 10V),适用于功率较低的高电压应用。最大漏极电流(I_D)为 7A,意味着它能够处理中等电流负载,适用于需要较高电压耐受能力的应用场景。

**SVF5N60AF-VB** 是一款具有较高电压耐受性和中等电流能力的 MOSFET,广泛应用于电源转换、电动机驱动以及电力保护电路等高电压应用领域。由于其较高的开关效率和较低的导通损耗,它能够在中等功率系统中提供稳定的工作性能。

### 2. 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单极 N 通道(Single-N-Channel)  
- **最大漏极电压 (V_DS)**:650V  
- **最大栅源电压 (V_GS)**:±30V  
- **开启电压 (V_th)**:3.5V  
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:1100mΩ @ V_GS = 10V  
- **最大漏极电流 (I_D)**:7A  
- **技术类型**:Plannar  
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C  
- **最大功率损耗 (P_d)**:55W(根据实际工作条件和散热情况可有所不同)

### 3. 应用领域和模块举例

1. **高压电源转换**
  - **SVF5N60AF-VB** 适用于高压电源转换应用,如开关电源(SMPS)中的高压部分。在电源适配器、通信电源、工业电源系统中,能够有效地处理650V的电压,并通过其高效的开关性能减少功率损耗。其导通电阻相对较高(1100mΩ),因此适合处理较低功率负载的应用场景。

2. **电动机驱动**
  - 在电动机驱动控制系统中,**SVF5N60AF-VB** 适用于小型电动机或需要高电压驱动的应用。它的650V耐压能够适应工业电动机驱动中的高电压要求,特别是在需要控制中等功率电动机时,能够提供稳定的开关和控制功能。该 MOSFET 适合用于空调、家电电动机、泵和风扇驱动等应用。

3. **电力保护电路**
  - 由于**SVF5N60AF-VB** 拥有高耐压能力,因此在电力保护电路中广泛使用。它可以用于过电压保护电路、逆变器保护、电力系统的开关控制等。其能够在高电压情况下进行稳定的开关操作,在电力设备中提供必要的电压保护,防止电压异常造成的设备损坏。

4. **照明控制系统**
  - 在高压照明系统中,**SVF5N60AF-VB** 可用于灯光开关、调光控制以及电流保护应用。它适用于包括工业照明、高压灯具及LED驱动电源中的控制模块。由于其650V的耐压,它在高电压环境下能够稳定工作,保证照明系统的可靠运行。

5. **高压功率变换器**
  - 在需要高电压电流切换的功率变换器中,**SVF5N60AF-VB** 是一个理想的选择。它可用于太阳能逆变器、电动车充电站等系统,提供高效的电能转换和电流调节。其650V的耐压和7A的电流能力使其在电力变换器中能够满足较高电压要求,同时具有较低的开关损耗,确保高效稳定运行。

6. **电池管理系统(BMS)**
  - **SVF5N60AF-VB** 可应用于电池管理系统(BMS)中的开关和保护电路。它的高耐压能力使其能够在电动汽车、储能系统中保护电池,防止过电压或过流对电池造成损害。它还可以用于电池充放电控制、故障检测等模块,保证电池的安全性和延长电池使用寿命。

### 总结:
**SVF5N60AF-VB** 是一款采用 Plannar 技术的 N 通道 MOSFET,最大漏极电压为 650V,适用于中等电流负载的高电压应用。它在电源转换、电动机驱动、电力保护、电池管理等领域中具有广泛的应用前景。由于其较高的耐压特性,适合用于那些需要在高电压环境下进行高效开关操作的设备和系统。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    159浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    140浏览量