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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SVF4N65EF-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SVF4N65EF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:SVF4N65EF-VB

SVF4N65EF-VB是一款高电压N沟道MOSFET,采用TO220F封装,专为高电压应用设计,具有650V的漏源电压(VDS)和最大漏极电流(ID)为4A。该MOSFET使用平面(Plannar)技术,提供可靠的开关性能,适合用于中低功率的高电压电源和电力转换系统。SVF4N65EF-VB具有较高的导通电阻(RDS(ON) = 2560mΩ @VGS=10V),适用于低功率和较低电流的应用场景。它的高耐压特性使其能够在高电压电源系统中稳定工作,尤其适用于需要高电压耐受和电流调节的电力管理、开关电源和保护电路等领域。

### 详细参数说明:

- **型号**:SVF4N65EF-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单极N沟道
- **最大漏源电压(VDS)**:650V
- **最大栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:4A
- **技术**:平面(Plannar)技术

### 应用领域与模块:

1. **开关电源(SMPS)和电力转换**:
  SVF4N65EF-VB适用于高电压的开关电源(SMPS)系统,尤其是在需要650V电压耐受的中低功率转换中。它能够稳定地处理4A的漏极电流,适合用于AC-DC适配器、小型UPS(不间断电源)、小功率电源模块等。这些应用需要MOSFET提供有效的电流调节和电压转换功能,以确保电力转换过程的稳定性和高效性。

2. **电气控制系统和过电压保护电路**:
  在电气控制系统中,SVF4N65EF-VB可作为保护元件使用,尤其是在需要高电压耐受的控制电路中。它可以用于防止过电压、过流等情况,并在电力系统中执行电压监测和保护任务。平面技术使其在开关过程中能够稳定工作,适用于高电压场合的安全控制电路,如电池保护、过载保护和过电压保护电路。

3. **逆变器和变频驱动器**:
  由于其650V的高耐压,SVF4N65EF-VB广泛应用于逆变器和变频驱动器中,特别是在低功率的光伏逆变器、风能逆变器等可再生能源系统中。在这些系统中,MOSFET帮助转换直流电至交流电,并实现能量高效转换。尽管导通电阻较高,但对于低功率逆变器,它仍能提供良好的电流控制和电压调节功能,保障系统的稳定运行。

4. **小型家电和电动工具**:
  在小型家电和电动工具中,SVF4N65EF-VB也可以用于功率转换和电流调节应用。该MOSFET能够处理650V的电压,适用于电动工具、LED驱动电源和其他需要高电压电流调节的低功率设备。对于这些设备,SVF4N65EF-VB能够有效控制电源电流,确保设备运行稳定并减少开关噪声。

5. **电池管理系统(BMS)和充电器**:
  由于其高电压能力,SVF4N65EF-VB非常适合用于电池管理系统(BMS)和电池充电器中,特别是在需要高电压调节和保护功能的系统中。在电池充电过程中,MOSFET用于控制充电电流,确保电池不会因过电流或过电压而损坏,适用于铅酸电池、锂电池等充电应用。

6. **功率电子设备中的保护与开关控制**:
  在其他一些高电压功率电子设备中,SVF4N65EF-VB可作为关键的开关控制元件,用于功率转换、开关保护和电流调节。比如高电压电源系统、工业控制设备等,需要高电压耐受的开关MOSFET,能够在高压环境下稳定工作,确保系统的安全性和高效性。

### 总结:

SVF4N65EF-VB是一款高电压、低电流处理的N沟道MOSFET,具有650V的漏源电压和4A的最大漏极电流,适用于中低功率的电力转换和保护电路。它广泛应用于开关电源、电气控制、逆变器、小型家电、电池管理系统等领域,能够提供稳定的电流调节和电压转换功能。虽然导通电阻较高,但其高电压耐受能力使其在高电压应用中表现出色,是一些低功率高电压电力管理系统的理想选择。

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