企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 78 粉丝

SVD5N60AF-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SVD5N60AF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### SVD5N60AF-VB MOSFET 产品简介

SVD5N60AF-VB 是一款高电压 N 型功率 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为中等电流、大功率开关应用设计。该 MOSFET 的最大漏极-源极电压(V_DS)为 650V,最大漏极电流(I_D)为 4A,适用于高电压系统中的功率转换、开关和电流控制。其采用 Plannar 技术,具有较高的导通电阻(R_DS(ON) = 2560mΩ @ V_GS = 10V),使其适合用于低至中等电流需求的应用领域。阈值电压(V_th)为 3.5V,确保其在低电压开关应用中能够稳定工作。SVD5N60AF-VB 适用于电源管理、电机驱动、高压开关电源以及家电等应用中,尤其适合需要高耐压和稳定性的大功率电源模块。

### SVD5N60AF-VB MOSFET 详细参数说明

- **型号**:SVD5N60AF-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单 N 型功率 MOSFET
- **最大漏极-源极电压 (V_DS)**:650V
- **最大栅极-源极电压 (V_GS)**:±30V
- **阈值电压 (V_th)**:3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:2560mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流 (I_D)**:4A
- **技术**:Plannar 技术
- **典型应用**:电源管理、开关电源、电机驱动、家电电源、功率转换、工业控制系统

### SVD5N60AF-VB MOSFET 应用领域与模块举例

1. **高压开关电源 (SMPS)**
  SVD5N60AF-VB 适用于高压开关电源(SMPS)中的功率开关模块,尤其是要求650V耐压的场合。其较高的导通电阻和稳定的工作特性,使其在要求不太高电流的开关电源中表现出色。可广泛应用于家庭电器、电池充电器和电源适配器等设备中,帮助提高电源系统的效率。

2. **电机驱动系统**
  该 MOSFET 可应用于中等功率电机驱动系统,尤其是在需要较高电压承受能力(650V)的电机控制场景。SVD5N60AF-VB 适合用于工业电机、空调电机、泵类电机等驱动系统中的功率开关部分,能够提供有效的电流控制和电机启停控制。

3. **家电电源管理**
  SVD5N60AF-VB 的高耐压特性使其在家电电源管理系统中应用广泛。尤其在空调、洗衣机、冰箱等家用电器中,该 MOSFET 可用于功率转换、开关和电流控制,确保家电设备在高压环境下稳定运行。

4. **工业电气控制系统**
  在工业电气控制系统中,SVD5N60AF-VB 适用于需要高压开关控制的场景。其高电压承受能力使其能够稳定工作于工业自动化设备、电力控制系统和电动工具的电源管理部分,尤其适合在电力控制设备和高功率开关设备中使用。

5. **功率转换与电池管理**
  由于 SVD5N60AF-VB 的高电压承受能力和较大的导通电阻,它非常适合用于低电流的功率转换应用,包括直流-直流转换、DC-AC 变换器和电池管理系统(BMS)等。这些系统需要稳定的电压控制和高效的电源管理,特别是在电池充放电控制和电池保护系统中应用广泛。

6. **电气设备保护与开关**
  SVD5N60AF-VB 可用于电气设备的保护和开关控制。它能够承受高达650V的电压,在系统中起到开关和保护的作用,广泛应用于电力设备、家电电源保护、过电流保护以及电路切换等场合。

### 总结

SVD5N60AF-VB MOSFET 具有650V的高耐压能力和4A的电流处理能力,适用于多个中等电流、大功率开关应用。其采用的 Plannar 技术使其在功率转换、电机驱动、家电电源管理和工业控制等领域中具有优异的性能。虽然其导通电阻相对较高(2560mΩ),但其仍然是适合低到中等功率应用的理想选择,特别是在高电压环境下具有稳定性和可靠性。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    167浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    153浏览量