--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
**SVD12N65F-VB** 是一款采用平面(Plannar)技术的 N 通道 MOSFET,封装为 TO220F。该 MOSFET 具有高耐压特性,最大漏极电压(V_DS)为 650V,适用于需要高电压和中等电流控制的应用。其最大栅源电压(V_GS)为 ±30V,开启电压(V_th)为 3.5V,能够在较广的电压范围内稳定工作。该型号的导通电阻(R_DS(ON))为 680mΩ(V_GS = 10V),虽然相对较高,但在许多高电压应用中依然具有良好的性能。最大漏极电流(I_D)为 12A,使其适用于中等功率的电源转换和电流控制应用。SVD12N65F-VB 的平面技术为其提供了良好的开关性能和可靠性,适合广泛的工业电力电子系统。
### 2. 详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单极 N 通道(Single-N-Channel)
- **最大漏极电压 (V_DS)**:650V
- **最大栅源电压 (V_GS)**:±30V
- **开启电压 (V_th)**:3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:680mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流 (I_D)**:12A
- **技术类型**:Plannar
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **最大功率损耗 (P_d)**:100W(根据封装和工作条件可能有所变化)
### 3. 应用领域和模块举例
1. **高电压电源转换器**
- **SVD12N65F-VB** 适用于需要承受高电压(如 650V)并进行高效电源转换的系统。特别是在 AC-DC 转换器、开关电源(SMPS)和 UPS 系统中,MOSFET 作为开关器件能够高效地调节和转换电能,提供稳定的输出电压和电流,减少电源转换中的能量损耗。
2. **工业电力控制系统**
- 在工业领域,**SVD12N65F-VB** 可以用于大功率电机控制、工业自动化中的电源管理、电力驱动系统等。它能够处理高电压负载,适用于要求高电压保护和中等电流负载的应用。该 MOSFET 的高耐压特性使其在工业设备中能有效防止电压突波和过压损害。
3. **照明驱动器和电机驱动**
- 在照明和电机驱动应用中,特别是在需要高耐压的驱动电路中,**SVD12N65F-VB** 可用于高电压环境下的功率控制,例如驱动高功率 LED 灯具、步进电机或直流电机。由于其高耐压能力和稳定性,它能够承受突发的高电压并提供可靠的电流调节。
4. **家电电力模块**
- 在家用电器(如空调、洗衣机、电热设备等)的电力模块中,**SVD12N65F-VB** 也可以发挥作用。由于其较高的耐压特性和中等的电流处理能力,它适合用于家电电源的开关管理和调节,尤其是需要兼顾安全性和稳定性的高压应用。
5. **电动工具与高压电池管理**
- **SVD12N65F-VB** 可用于电动工具和高压电池管理系统(BMS)中,特别是电池充电器和电池供电的设备中。在电动工具中,MOSFET 可作为开关元件,控制大功率电流的流动并提供电池管理保护。而在高压电池管理系统中,它有助于高效控制电池的充电和放电过程,确保系统运行的稳定性和安全性。
6. **开关电源和逆变器**
- **SVD12N65F-VB** 也常用于光伏逆变器(太阳能电池板系统)和其他类型的开关电源应用中。太阳能逆变器需要在 650V 左右的电压下进行有效的电力转换,MOSFET 的高耐压特性和较低的开关损耗使其在这些应用中表现出色。
总结:**SVD12N65F-VB** 是一款适用于高电压、较中等电流的电力电子应用的 N 通道 MOSFET,广泛应用于高电压电源转换、电力控制系统、家电电力模块、照明驱动、电动工具及电池管理等领域。其高耐压能力、平面技术和可靠性使其成为现代高效电力系统中的重要元件,能够提供稳定的电力控制和保护功能。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12