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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SVD10N65F-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SVD10N65F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**产品简介:**

SVD10N65F-VB是一款高压N沟道MOSFET,采用TO220F封装,适用于中高电压的开关应用。该MOSFET的漏源电压(VDS)为650V,栅源电压(VGS)为±30V,最大漏极电流(ID)为10A。其阈值电压(Vth)为3.5V,具备较好的开关性能。导通电阻(RDS(ON))为830mΩ,在VGS为10V时,该产品提供较低的导通损耗。采用Plannar技术,适用于各种需要高耐压和可靠性的电源管理、电动工具驱动、电机控制以及家电等高压应用。

**详细参数说明:**
- **型号**:SVD10N65F-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单一N沟道
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:830mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:10A
- **技术类型**:Plannar技术
- **工作温度范围**:通常为-55°C至150°C(具体值依据应用和条件可能有所不同)
- **最大功耗**:根据导通电阻及工作条件,适用于大功率应用。

**应用领域和模块示例:**

1. **电源管理系统**:
  SVD10N65F-VB适用于高电压电源管理系统,如AC-DC电源转换器、DC-DC电源模块等。由于其650V的高耐压能力,它能够在高电压环境下稳定工作,广泛应用于高压电源模块、LED驱动电源等领域。其较低的导通电阻使得系统运行时损耗较低,能够提高电源系统的效率。

2. **电动工具与家电设备**:
  该MOSFET特别适用于电动工具和家电设备中的高压电流开关,如电动工具驱动、电机控制等。SVD10N65F-VB可以承受高达650V的电压,并提供高效的电流控制,非常适合家电电机驱动、电动工具以及家用电器中需要高电压承载能力的应用。

3. **工业电机驱动与控制系统**:
  在工业自动化和电机驱动系统中,SVD10N65F-VB的高压和大电流能力使其非常适合用于控制高功率电动机。在电动机控制和变频驱动系统中,它可用于高效的功率转换,确保工业设备在大负载条件下稳定工作,同时提供较低的功耗和高可靠性。

4. **汽车电子系统**:
  SVD10N65F-VB适用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电力控制系统。在这些系统中,它可用于驱动电机控制、逆变器以及电池管理系统。由于其650V的耐压和10A的电流承载能力,这款MOSFET能够高效地控制电池电流,减少能量损失,并提高电动车系统的效率和性能。

5. **电力开关与保护系统**:
  该MOSFET广泛应用于电力开关系统中,如电力控制和过载保护模块。它能够在高电压系统中充当开关元件,确保电路的高效控制和过载保护,广泛用于电力保护、开关电源、逆变器等电力管理设备中。

6. **逆变器与光伏应用**:
  在太阳能逆变器和光伏系统中,SVD10N65F-VB被广泛应用于直流到交流(DC-AC)转换过程。它能够承受650V的高电压,确保光伏系统或风力发电系统能够高效地将直流电转化为交流电,并向电网或负载提供稳定的电力输出。

综上所述,SVD10N65F-VB凭借其650V的耐压能力、较低的导通电阻、10A的高电流承载能力,以及优秀的开关性能,适用于高电压电源管理、工业电机驱动、电动工具、汽车电子、太阳能逆变器等多个领域,是高压电力电子系统中的理想选择。

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