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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SUN1060F-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SUN1060F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介

**SUN1060F-VB** 是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装,专为高电压和高功率应用设计,能够承受650V的漏极-源极电压(VDS)和12A的最大漏极电流(ID)。该MOSFET的栅极阈值电压(Vth)为3.5V,在10V的栅极驱动电压下,其导通电阻(RDS(ON))为680mΩ,适合用于需要高压、高电流控制和低导通损耗的场合。其采用Plannar技术,具有较高的效率和稳定性,特别适合电源管理、电动工具、电池管理系统(BMS)等要求高效能和长时间可靠性的应用场合。

### 2. 详细参数说明

- **型号**:SUN1060F-VB  
- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)  
- **最大漏极-源极电压(VDS)**:650V  
- **最大栅极-源极电压(VGS)**:±30V  
- **栅极阈值电压(Vth)**:3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - **@VGS = 10V**:680mΩ  
- **最大漏极电流(ID)**:12A  
- **技术类型**:Plannar技术  
- **工作温度范围**:-55°C 到 +150°C  
- **功率耗散**:150W(最大)  
- **应用领域**:高压电源管理系统、电动工具、电池管理系统(BMS)、工业自动化、太阳能逆变器等。

### 3. 应用领域和模块

- **高压电源管理系统**:SUN1060F-VB广泛应用于AC-DC电源转换、开关电源(SMPS)等高压电源管理系统。其650V的最大VDS使其能够处理高电压输入,并且低RDS(ON)(680mΩ)降低了导通损耗,提升了系统效率。该MOSFET非常适合在电源转换过程中作为主开关元件,确保能量高效转换。

- **电动工具**:在电动工具(如电动钻、电动螺丝刀等)中,SUN1060F-VB MOSFET可用于电池管理、驱动控制和功率转换模块。它能够高效地开关电流,控制电池的充放电过程,并在工具运行时提供持续的高功率输出。由于其低导通电阻,它能够在电动工具中提高运行效率并延长工具的使用寿命。

- **电池管理系统(BMS)**:SUN1060F-VB MOSFET特别适用于电池管理系统中的高压电池组。它的高电流承载能力和低导通损耗使其能够有效管理电池的充放电过程,同时保护电池免受过载或过热的影响。它广泛应用于电动交通工具、电动汽车以及其他高电压电池系统中,确保系统的安全性和高效性。

- **工业自动化**:该MOSFET在工业自动化设备中,如电机控制系统、伺服驱动和电动执行器等,具有重要应用。它能够在高电压条件下提供稳定的开关性能,并能处理较大电流,确保系统在高负载条件下也能稳定运行。它的高电压耐受能力和优异的导通性能使其在工业领域中具备了广泛的适用性。

- **太阳能逆变器**:SUN1060F-VB MOSFET适用于太阳能逆变器的功率转换模块。作为逆变器中的关键开关元件,它能够有效地将直流电转换为交流电,并将太阳能电池板的能量输送到电网。由于其低RDS(ON)和高电压承载能力,该MOSFET有助于提高逆变器的效率,从而提升太阳能发电系统的整体性能。

### 总结

**SUN1060F-VB** 是一款650V耐压、12A电流承载能力的单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,适用于高压功率管理和开关应用。其低导通电阻(680mΩ)确保了较低的功率损耗,并且其稳定的开关特性使其在高电压电源转换、电动工具、电池管理系统(BMS)、太阳能逆变器和工业自动化等领域具有广泛应用。

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