--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**SUN0760F-VB** 是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装,专为高电压、大功率应用设计。此器件具有650V的漏源电压(VDS),适用于需要承受高电压的电源系统,能够提供7A的最大漏电流。其导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为1100mΩ,适用于一些低功耗和中等电流的开关应用。SUN0760F-VB采用平面技术(Plannar),适合于高电压电源、电力转换及一般电子设备中。
该MOSFET在高电压环境下具有稳定性,并能够有效降低功率损耗,适用于多个领域的开关模式电源、功率调节模块以及控制系统中。
### 详细参数说明
| 参数 | 说明 |
|-----------------|---------------------------------------|
| **型号** | SUN0760F-VB |
| **封装** | TO220F |
| **配置** | 单N沟道MOSFET(Single-N-Channel) |
| **VDS** | 650V |
| **VGS** | ±30V |
| **Vth** | 3.5V |
| **RDS(ON)** | 1100mΩ @ VGS = 10V |
| **ID** | 7A |
| **技术** | 平面技术(Plannar) |
#### 关键参数解析:
- **VDS (漏源电压)**:650V的最大漏源电压适合于高压电源系统,能够处理工业级高电压应用。
- **VGS (栅源电压)**:栅源电压的最大值为±30V,具有较宽的控制电压范围,适合不同的驱动要求。
- **Vth (阈值电压)**:3.5V的阈值电压表示该MOSFET在较低的栅电压下就能开启,能够提供较好的开关特性。
- **RDS(ON)**:1100mΩ的导通电阻相对较高,适用于中等功率应用,可以在适当的负载条件下提供有效的电流控制。
- **ID (最大漏电流)**:最大漏电流为7A,适合中等功率电源系统的开关和控制应用。
### 应用领域与模块
1. **开关电源(SMPS)**
SUN0760F-VB适用于开关电源模块,特别是在需要高电压和稳定电流的电源系统中。虽然其RDS(ON)较高,但对于低到中等功率的开关电源设计,仍然能够提供合理的效率和可靠的性能,特别是在需要650V漏源电压的应用场合。
2. **功率转换**
在功率转换模块中,SUN0760F-VB能够提供高效的电压转换,适用于电压稳定、负载电流相对较小的场合,如低功耗功率因数校正(PFC)电路等。
3. **电动工具**
该MOSFET能够有效地用于电动工具的电源管理,尤其是在电动工具和家电产品中,它能够处理适中电流并保证设备运行的稳定性,特别是在要求高电压和稳定性的应用中。
4. **工业电源和电力控制**
由于其650V的高电压承受能力,SUN0760F-VB适用于工业电源控制、自动化设备和电力转换系统。在高压环境下,其平面技术(Plannar)能够提供足够的电流处理能力和稳定的性能,适用于对功率转换有较高要求的工业应用。
5. **照明系统**
在高压照明系统中,尤其是LED驱动器和其他高压照明设备中,SUN0760F-VB能够提供稳定的开关控制,适用于交流电源的功率调节和控制,确保设备运行时的效率和稳定性。
6. **高压电力传输系统**
由于该MOSFET具有650V的耐压,SUN0760F-VB可以用于高压电力传输系统中的功率调节、开关和控制模块,尤其是在高电压需要精确调节的场合。
7. **汽车电子**
SUN0760F-VB还可以应用于汽车电子领域,尤其是汽车电池管理系统和电动汽车电源系统中,它能够处理较高的电压和中等电流需求,帮助提升系统的稳定性和性能。
### 总结:
**SUN0760F-VB** 是一款高耐压、稳定的单N沟道MOSFET,适用于高电压应用中的功率转换、电源管理以及开关电源等领域。尽管其导通电阻较高,但仍适合于中等电流需求的应用,尤其是在高压环境下提供稳定、可靠的性能。
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