企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 78 粉丝

SUN0460F-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: SUN0460F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### **SUN0460F-VB MOSFET 产品简介**

**SUN0460F-VB** 是一款高电压、高可靠性的 **单N沟MOSFET**,采用 **TO220F** 封装,专为 **中高功率应用** 设计。其具有 **最大漏极源极电压(V_DS)** 高达 **650V**,使其能够在需要较高耐压的电力系统中稳定工作。该MOSFET的 **门阈电压(V_th)** 为 **3.5V**,适合于广泛的驱动电压范围。MOSFET采用 **Plannar技术**,具备较高的功率耐受能力和稳定性。

**SUN0460F-VB** 的 **导通电阻(R_DS(ON))** 为 **2560mΩ** 在 **V_GS = 10V** 下,这意味着其适合用于低功率应用,能够在适当的电压下提供稳定的导电通道。尽管其导通电阻较高,适用于中等功率应用,但它具备良好的 **电压耐受能力** 和 **高电流控制能力**,其最大漏极电流可达 **4A**,适合用于一些要求较低电流,但需要较高电压耐受能力的电路设计。

该MOSFET特别适用于需要 **高电压** 和 **低至中等电流控制** 的应用领域,如 **开关电源**、**电池充电管理系统**、**小功率电机驱动系统** 以及 **低功率电力转换模块**。

---

### **SUN0460F-VB MOSFET 详细参数说明**

- **型号**:SUN0460F-VB  
- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单N沟MOSFET  
- **最大漏极源极电压(V_DS)**:650V  
- **栅源电压(V_GS)**:±30V  
- **门阈电压(V_th)**:3.5V  
- **导通电阻(R_DS(ON))**:  
 - 2560mΩ(@ V_GS = 10V)  
- **最大漏极电流(I_D)**:4A  
- **技术**:Plannar技术  
- **最大功耗**:30W(取决于散热条件)  
- **工作温度范围**:-55°C 到 150°C  
- **输入电容(C_gs)**: 1400pF(@ V_DS = 650V, V_GS = 0V)  
- **总门电荷(Qg)**: 20nC(@ V_DS = 650V, V_GS = 10V)  
- **反向恢复时间(T_rr)**: 150ns(典型值)

---

### **SUN0460F-VB MOSFET 的应用领域和模块示例**

1. **开关电源(SMPS)**  
  **SUN0460F-VB** MOSFET 适用于 **开关电源(SMPS)** 中,尤其是在中等功率转换和高耐压应用中。由于其 **650V** 的高电压承受能力,它非常适合用于电压较高的电源中,如在 **AC-DC电源** 或 **DC-DC转换器** 中,提供稳定的电压转换,同时有效控制功率损耗。

2. **电池充电管理系统**  
  在 **电池充电管理** 系统中,**SUN0460F-VB** 可以作为高耐压开关元件,控制电池的充电过程。其适合于 **电池保护电路** 中的应用,特别是在 **锂电池管理系统** 和 **可再生能源设备** 中,提供稳压和电流控制功能。

3. **电动机驱动系统(小功率电动机)**  
  **SUN0460F-VB** 可用于 **小功率电动机驱动** 电路中,尤其是在低功率 **电动工具**、**小型家电** 或 **消费类电子设备** 中。由于其相对较低的漏极电流(4A),它非常适合低功率电动机的控制,能够提供适当的电压和电流稳定性。

4. **过压保护与过流保护电路**  
  在 **过压保护电路** 和 **过流保护模块** 中,**SUN0460F-VB** 的高电压耐受性使其成为理想选择。它能够在电力系统中过载情况下有效地切断电流流动,从而保护其他敏感元件免受损害。这些特性使它适用于电力设备、逆变器、太阳能逆变器等领域的保护应用。

5. **家用电器的电力转换模块**  
  **SUN0460F-VB** MOSFET 还可应用于 **家用电器** 中的电力转换模块,如微波炉、洗衣机和空调等设备。其高耐压能力和适中的电流承载能力使其能够处理这些电器中的电力需求,并且能够在长期使用中保持稳定性。

6. **工业电力系统**  
  在 **工业电力系统** 中,尤其是高压直流电源、逆变器以及电力转换设备中,**SUN0460F-VB** 是一个可靠的开关元件。其650V的电压耐受能力使其能够在工业电力转换和电力调节应用中发挥作用,确保设备的稳定性与高效运作。

7. **汽车电子应用**  
  在 **汽车电子** 系统中,尤其是 **车载电源管理** 和 **电池监控系统** 中,**SUN0460F-VB** 可用于电池充电、稳压以及电力分配。其高电压能力和较低的导通电阻,使其适用于汽车中的电力转换和电池管理应用。

### 总结:
**SUN0460F-VB** MOSFET 是一款高电压、低电流的开关器件,采用 **TO220F** 封装,适用于需要高电压处理和稳定电流控制的中低功率应用。其高 **650V** 漏极电压和较低的导通电阻使其在 **开关电源**、**电池管理系统**、**电动机驱动**、**电力转换** 等多个领域具有重要应用。尽管其最大电流较低,但其高电压能力和稳定性使其成为理想的电力转换和电压保护元件。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    166浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    152浏览量