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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STP9NK50-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STP9NK50-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### **STP9NK50-VB MOSFET - 产品简介**

STP9NK50-VB 是一款采用TO220F封装的单N通道功率MOSFET,采用传统的平面(Plannar)技术制造,适用于高压和中等功率的开关应用。其最大漏极源电压(VDS)高达650V,适合用于需要高电压耐受能力的电源模块、功率变换设备等场合。STP9NK50-VB MOSFET的低栅极阈值电压(Vth)和相对较高的导通电阻(RDS(ON))使其成为具有稳定性和成本效益的解决方案,适合用于电力电子领域中的多种应用,尤其是那些要求稳定工作在较高电压和中等电流负载下的系统。

### **详细参数说明**

- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N通道(Single-N-Channel)
- **最大漏极源电压(VDS)**: 650V
- **最大栅源电压(VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 680mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏极电流(ID)**: 12A
- **技术**: 平面技术(Plannar Technology)

**特性说明**:
- **高电压承受能力**: 最大VDS为650V,能够承受高电压的开关和电力转换应用,特别适用于高压环境。
- **栅极阈值电压(Vth)**: 栅极开启电压为3.5V,适合大部分控制电路,确保低电压驱动。
- **导通电阻**: RDS(ON)为680mΩ,虽然较高,但对于一些中等功率应用而言已能提供足够的性能。
- **高可靠性**: 平面(Plannar)技术确保了MOSFET在高电压、高温等环境下的稳定性和长期可靠性。

### **应用领域和模块示例**

1. **电源转换器(Power Converters)**:
  STP9NK50-VB 适用于高压电源转换器中的开关应用,如DC-DC转换器、AC-DC电源等。它能在高电压工作环境下提供稳定的开关性能,在电力转换过程中有效管理电压波动。适用于服务器电源、电池充电器等应用场景。

2. **电动机控制(Motor Control)**:
  该MOSFET特别适合用于电动机驱动电路中,尤其是高电压电动机控制系统。由于STP9NK50-VB可以在650V的电压下稳定工作,它适合用于大功率电动机驱动、电动工具和家电产品等需要高电压耐受能力的场合。

3. **工业电源系统**:
  在工业电源系统中,如变频器、可编程电源等,STP9NK50-VB MOSFET能够在高压环境下稳定工作,且具有较好的开关性能,能够有效调节电流与电压,实现高效的功率转换。适用于电力自动化设备、控制系统及电力调度模块。

4. **焊接电源**:
  在焊接电源模块中,STP9NK50-VB 由于其高VDS和耐压特性,非常适合用于焊接控制系统和逆变电源模块。这些系统通常需要在650V以上的电压下稳定运行,STP9NK50-VB可以提供可靠的开关性能,确保焊接过程的电流稳定和高效。

5. **家用电器**:
  STP9NK50-VB 也适合用于一些家用电器中的功率转换模块,尤其是需要较高工作电压的设备,如空调、电热水器、冰箱等家电的电源板。这些家电通常需要将AC电压转换为适合内部电路的电压,而STP9NK50-VB在这种应用中提供了可靠的电流控制。

6. **UPS系统(不间断电源)**:
  在不间断电源系统(UPS)中,STP9NK50-VB 可用于电源转换模块,支持电池电源和主电源之间的切换,确保在电网断电时仍能提供稳定的电力供应。

通过这些应用领域的举例,可以看出,STP9NK50-VB 是一款适用于各种高电压应用的MOSFET,凭借其高电压承载能力和稳定的工作性能,广泛应用于电力电子、工业控制以及电源管理等多个领域。

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