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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STP9NB60FP-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STP9NB60FP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### STP9NB60FP-VB MOSFET 详细信息

#### 一、产品简介

STP9NB60FP-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于需要高电压、高电流控制的场合。该 MOSFET 最大漏源电压(VDS)为 650V,最大漏极电流(ID)为 12A,适合用于高压和高效能应用,如电源管理、逆变器、电动机控制等。STP9NB60FP-VB 具有较低的导通电阻(RDS(ON) = 680mΩ @ VGS = 10V),可以降低功率损失,并提高系统的整体效率。由于采用 Plannar 技术,STP9NB60FP-VB 具有优异的开关特性,适合于高频开关应用,并能在高温下稳定工作。

该 MOSFET 的典型应用包括电力转换、电动机驱动、DC-DC 转换器、以及各种高压电源模块。其优越的电流承载能力和耐高压性能使其在电力电子领域得到了广泛的应用。

#### 二、详细参数说明

- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单 N 沟道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 680mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:12A
- **最大功率耗散**:100W
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **最大结温**:150°C
- **栅源电压最大值(VGS)**:±30V

**典型参数**:
- **VDS(漏源电压)**:650V,适合高压应用。
- **RDS(ON)(导通电阻)**:680mΩ @ VGS = 10V,提供良好的导通特性,适合高效能开关应用。
- **ID(最大漏极电流)**:12A,适合中高功率负载应用。

#### 三、应用领域与模块示例

**1. 电源管理与电力转换**  
STP9NB60FP-VB 具有很高的开关性能和耐高压能力,适合用于电源管理系统中的功率转换和电压调节。其高电压耐受性使其非常适合用于 AC-DC 或 DC-AC 转换器中,能够在高压应用中提供稳定的开关控制。在电力电子中,它可以作为主要开关元件处理交流电或直流电的转换,常见于电源模块、电力供应器、太阳能逆变器等应用中。

**2. 电动机驱动系统**  
STP9NB60FP-VB 适合用作电动机驱动系统中的开关元件。电动机驱动应用常常需要处理较高的电压和电流,STP9NB60FP-VB 能够在这些条件下稳定工作,并通过低导通电阻提供高效的电流控制。这款 MOSFET 特别适用于工业自动化、电动工具、电动交通工具(如电动自行车、电动滑板车等)中的电动机控制系统。

**3. DC-DC 转换器**  
该 MOSFET 的低导通电阻和较高的漏极电流承载能力使其适用于 DC-DC 转换器,尤其是需要在较高电压下运行的应用。通过其高效的开关性能,STP9NB60FP-VB 可以在低功耗电源或大功率转换中优化转换效率,广泛应用于可调电源、电池管理系统、电动工具等设备的电源模块中。

**4. 逆变器与电力调节**  
在太阳能逆变器、电动交通工具逆变器和风能系统中,STP9NB60FP-VB 可以作为开关元件有效地将直流电转换为交流电。该 MOSFET 支持高频率的开关操作,并且能够承受高电压负载,适合于各种可再生能源电力调节和转换系统中。

**5. 高效开关电源与电压稳压器**  
STP9NB60FP-VB 也广泛应用于高效开关电源和电压稳压器中。其在高压应用中提供稳定的开关性能,能够处理较高的电流和电压波动,确保电源的可靠性和高效能。它可用于各种类型的电源稳压、交流适配器和电池充电器中。

**6. 高频开关应用**  
由于 STP9NB60FP-VB 采用 Plannar 技术,具有非常优秀的开关特性,适合应用于高频开关电路。这使得该 MOSFET 在高频开关模式下可以高效工作,适用于通信设备、电信基站电源和其他需要高频率高压开关的应用场合。

### 总结

STP9NB60FP-VB 是一款高电压、高电流承载能力的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高效能、高电压应用场合。它的低导通电阻和高耐压特性使其在电力转换、电动机控制、DC-DC 转换器、逆变器以及高效开关电源等应用中表现优异。通过采用 Plannar 技术,它能够在高温环境下稳定工作,确保系统的高效能和可靠性。

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