--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:STP8NM50FP-VB
STP8NM50FP-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO220F封装,专为高电压、大电流应用设计,最大漏源电压(V_DS)为650V,漏极电流(I_D)可达到12A。该MOSFET使用了经典的Plannar技术,具有较低的导通电阻(R_DS(ON))为680mΩ(V_GS = 10V),适用于对电流和功率损耗要求较高的领域。STP8NM50FP-VB具有较高的耐压和较低的导通电阻,提供了良好的开关性能和热稳定性,适合用于各种电源管理、功率转换和高效驱动应用。
### 详细参数说明:
- **型号**:STP8NM50FP-VB
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压(V_DS)**:650V
- **最大栅源电压(V_GS)**:±30V
- **阈值电压(V_th)**:3.5V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:
- 680mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流(I_D)**:12A
- **功率损耗**:低导通电阻,有效减少能量损耗
- **开关性能**:良好的开关特性
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **技术类型**:Plannar技术
### 适用领域与模块:
1. **高效开关电源(SMPS)**
STP8NM50FP-VB 适用于各种高效开关电源(SMPS)应用,包括AC-DC电源转换、DC-DC变换器和功率因数校正(PFC)电路。该MOSFET的高耐压和较低的导通电阻使其能够有效提高电源转换效率,同时降低能量损耗和发热。广泛应用于计算机电源、通信电源、工业电源和家电电源等领域。
2. **电动机控制与驱动系统**
在电动机控制和驱动系统中,STP8NM50FP-VB能够有效控制高功率电动机的驱动电流,确保电动机在高负载下的高效运行。无论是家电中的电动工具、工业控制系统还是电动交通工具(如电动汽车、电动自行车),STP8NM50FP-VB都能提供稳定可靠的电流控制,满足高效驱动要求。
3. **逆变器应用**
STP8NM50FP-VB 在逆变器中得到了广泛应用,尤其是光伏逆变器、风能逆变器以及UPS电源逆变器等。其650V的高耐压能力和低导通电阻使其能够提供优异的功率转换效率,减少电能损失,确保在高功率需求下的稳定运行。适合用于可再生能源系统、电力调度和电力管理。
4. **电池管理系统(BMS)**
在电池管理系统(BMS)中,STP8NM50FP-VB用于高效的电池充放电管理,尤其在电动汽车(EV)、电动自行车(E-bike)、储能系统和UPS电池组中。MOSFET的高电流承载能力和低导通电阻有助于确保电池充放电过程中的高效性和可靠性,并延长电池寿命。
5. **LED驱动系统**
STP8NM50FP-VB 在LED驱动应用中也具有很大的优势,尤其适用于需要高电流和高电压的LED照明系统。由于其低导通电阻,该MOSFET可以减少能量损失,提高LED的工作效率,广泛应用于室内外照明、街道灯具和商业照明等。
6. **汽车电子系统**
在汽车电子领域,STP8NM50FP-VB 可用于电动汽车的电动座椅、电动窗、电动后视镜等系统中的驱动模块。MOSFET的高功率承载能力和良好的热稳定性,使其适合用于车载电源系统,确保系统在高功率、高电流的情况下安全稳定运行。
7. **高压电力控制和能源管理**
在高压电力控制和能源管理系统中,STP8NM50FP-VB 适用于需要大功率转换和高电压保护的场景,如电力调度、配电系统和智能电网。其650V的高耐压和低导通电阻特性使其能够有效管理功率流,并降低能量损失。
### 总结:
STP8NM50FP-VB 是一款高效能的N沟道MOSFET,适用于高电压、大电流需求的各种应用领域。凭借其650V的高耐压、12A的高电流能力和680mΩ的低导通电阻,STP8NM50FP-VB 在开关电源、电动机控制、逆变器、电池管理系统、LED驱动和汽车电子等领域具有广泛的应用前景。其优异的开关性能和较低的功率损耗使其成为高效能、高可靠性系统中的理想选择。
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