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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STP8NC60FP-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STP8NC60FP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### STP8NC60FP-VB MOSFET - 产品简介

STP8NC60FP-VB 是一款高压 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,具有高达 650V 的漏源电压(V_DS)和最大 10A 的漏极电流(I_D)。该 MOSFET 采用 Plannar 技术,设计用于高电压应用,特别是在需要较高开关速度、低开关损耗和高可靠性的电力电子设备中。它具有较低的导通电阻(R_DS(ON) = 830mΩ @ V_GS = 10V),确保在高负载电流下具有优异的效率和热管理性能。

STP8NC60FP-VB 适用于电源管理、开关电源(SMPS)、逆变器、充电器、照明控制和工业自动化等多个领域,尤其是在需要高耐压和较大电流处理的场合。其高效率、低导通损耗的特性使其成为许多高压电力电子应用中的理想选择。

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### STP8NC60FP-VB MOSFET - 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单 N 通道
- **最大漏源电压(V_DS)**:650V
- **最大栅源电压(V_GS)**:±30V
- **阈值电压(V_th)**:3.5V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:830mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏极电流(I_D)**:10A
- **功率耗散能力**:适合高压、大功率应用
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **开关特性**:快速开关,适用于高频率电路
- **技术**:Plannar(平面结构)

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### 应用领域和模块举例

1. **开关电源(SMPS)**
  STP8NC60FP-VB 在开关电源中有广泛的应用,尤其是在高压输入的情况下。它能够在电源转换过程中提供低损耗的导通特性,适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器,确保稳定的输出电压和电流。该 MOSFET 的高耐压和低导通电阻特性使其成为高效开关电源中不可或缺的组件。

2. **逆变器**
  STP8NC60FP-VB 适用于太阳能逆变器、风能逆变器等高压电力转换系统中。在这些应用中,该 MOSFET 提供可靠的功率控制和转换,能够高效地将直流电(DC)转换为交流电(AC),以满足不同电气设备的需求。

3. **充电器**
  在电动工具、笔记本电脑、电动汽车(EV)及其他充电设备的电源模块中,STP8NC60FP-VB 可用于高压直流充电器。由于其低导通电阻和高电流承载能力,它能够在充电过程中提供快速且高效的能量传输,减少能量损失并确保长时间工作下的热稳定性。

4. **电池管理系统(BMS)**
  在电池管理系统(BMS)中,STP8NC60FP-VB 作为开关组件处理高电压电池组的充放电过程,确保电池的安全性与效率,特别适合在电动汽车(EV)或大型储能系统中的应用。该 MOSFET 在高电压电池组中的高电流切换能力帮助提升充电效率和电池寿命。

5. **电动机驱动**
  STP8NC60FP-VB 在工业电动机驱动中广泛应用,尤其是在需要高压控制的场合。其高电压处理能力和低导通损耗使其适用于大功率电动机的驱动,例如工业自动化、家用电器以及电动工具中的电机控制模块。

6. **照明控制系统**
  在照明控制系统中,特别是智能照明和大规模的舞台照明系统,STP8NC60FP-VB 用于高效地控制照明负载的开关。由于其高开关性能和稳定的电流承载能力,该 MOSFET 能够快速切换大功率负载,并在各种工作条件下保证系统的可靠性和效率。

7. **工业自动化**
  STP8NC60FP-VB 在工业自动化设备中常用于各种电气控制系统,尤其是在需要稳定的高压开关和调节电流的场合。它可以应用于机器驱动、电力控制和自动化工厂的其他高压系统中,确保这些设备能够高效且可靠地工作。

8. **高压直流电源**
  STP8NC60FP-VB 适用于高压直流电源模块,特别是在电力设备、医疗设备以及大功率电源中,提供稳定的电流控制和高效的功率转换。由于其高电压耐受能力和较低的导通损耗,它能够确保设备在长时间运行下的可靠性和安全性。

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### 总结

STP8NC60FP-VB 是一款高压 N 通道 MOSFET,适用于高压、大电流的电力电子应用。其650V的最大漏源电压和 10A 的最大漏极电流,使其能够在许多高压和高功率领域提供高效的电力控制。其低导通电阻(830mΩ @ V_GS = 10V)和高效的开关特性,使其成为开关电源、逆变器、电池管理系统、充电器等多种应用中的理想选择。

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