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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STP8NC50FP-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STP8NC50FP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

STP8NC50FP-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 通道 MOSFET,专为高压应用设计,具有 650V 的漏极源极电压(VDS)和 12A 的最大漏极电流(ID)。该 MOSFET 采用平面(Plannar)技术,提供较低的导通电阻(RDS(ON) 680mΩ 在 VGS=10V 时)。其开启电压(Vth)为 3.5V,适合用于高功率转换和开关电源等应用。STP8NC50FP-VB 的高耐压和优异的导电性能使其在多个电力电子领域中成为理想选择。

### 详细参数说明

- **型号**:STP8NC50FP-VB  
- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单极 N 通道  
- **漏极源极电压 (VDS)**:650V  
- **栅极源极电压 (VGS)**:±30V  
- **开启电压 (Vth)**:3.5V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**:680mΩ@VGS=10V  
- **最大漏极电流 (ID)**:12A  
- **技术类型**:平面技术(Plannar)  

### 适用领域和模块举例

1. **开关电源(SMPS)**:
  STP8NC50FP-VB 在开关电源中可作为主开关元件。由于其较高的 VDS(650V)和适中的 RDS(ON),该 MOSFET 可在高频率下高效切换,大幅度提高系统的功率转换效率。它适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中,能有效减少导通损耗并提高输出电压稳定性。

2. **电动汽车(EV)充电模块**:
  在电动汽车的充电系统中,STP8NC50FP-VB 能在充电过程中承受高压操作,保证电池充电过程的稳定性与效率。由于其耐压能力强,适合在直流电压较高的充电模块中使用,如高压快速充电站或电动汽车充电器的逆变器中。

3. **逆变器系统**:
  该 MOSFET 在太阳能逆变器、风力发电系统等领域中广泛应用。由于它的高耐压能力和较低的导通电阻,能够在光伏或风能发电系统中的高功率转换中提供稳定的性能,有效降低损耗,提升系统整体效率。

4. **工业电源管理模块**:
  STP8NC50FP-VB 同样适用于工业电源管理系统,尤其是在需要高压耐受能力和较低导通损耗的情况下。它可以在工业电源模块中作为开关元件,应用于电力传输、设备电源以及负载控制中。

5. **家电产品中的电源控制**:
  由于其优异的开关特性,STP8NC50FP-VB 适用于家电产品的电源管理,如空调、电热水器、冰箱等需要高效电源转换的设备。它能在高电压情况下提供稳定的电流控制,并减少设备的能耗。

这种 MOSFET 在高压开关应用中展现出了较强的适应性,广泛用于各类高效电源转换、能量管理和工业自动化控制领域。

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