企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 78 粉丝

STP8NA50FI-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STP8NA50FI-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### **STP8NA50FI-VB 产品简介**

STP8NA50FI-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压、高电流应用设计。该 MOSFET 的最大漏源电压(V_DS)为 650V,最大漏电流(I_D)为 12A,适用于各种功率控制和开关电源应用。采用 Plannar 技术制造,具有良好的耐压特性和可靠性。

STP8NA50FI-VB 提供了较低的导通电阻(R_DS(ON) = 680mΩ @ V_GS = 10V),能够有效降低功率损耗,提升系统效率。它的高耐压和高开关能力使其非常适合用于高电压转换和电力管理应用,尤其在需要高效率的电源转换、直流电机驱动、以及工业控制等系统中表现突出。

---

### **STP8NA50FI-VB 详细参数说明**

| **参数**                      | **描述**                                |
|-----------------------------|---------------------------------------|
| **封装**                      | TO220F                                 |
| **配置**                      | 单一 N-Channel                         |
| **V_DS(最大漏源电压)**        | 650V                                   |
| **V_GS(最大栅极-源极电压)**    | ±30V                                   |
| **V_th(阈值电压)**           | 3.5V                                   |
| **R_DS(ON)(导通电阻)**       | 680mΩ@V_GS=10V                         |
| **I_D(最大漏电流)**          | 12A                                    |
| **技术**                      | Plannar 技术                           |
| **开关速度**                  | 高开关速度,适用于快速开关电源应用       |
| **工作温度范围**              | -55°C 到 150°C                          |
| **应用**                      | 开关电源、直流电机驱动、功率管理、电力模块 |
| **热管理**                    | 良好的热性能,适用于高功率密度应用      |

---

### **STP8NA50FI-VB 适用领域和模块**

STP8NA50FI-VB 是一款高压 MOSFET,具有很高的电压耐受性和低导通损耗,因此适用于多种需要高效能和高电压处理的领域。以下是它的典型应用:

1. **开关电源(SMPS)**
  - STP8NA50FI-VB 具有出色的开关特性和低导通电阻,非常适合应用于高效的开关电源(SMPS)。在电力电子设备中,如直流电源、电池充电器和不间断电源(UPS)中,STP8NA50FI-VB 可以有效降低功率损耗,并提升系统的效率,确保电力转换过程中最小的能量浪费。

2. **电动机驱动**
  - 在直流电动机驱动系统中,STP8NA50FI-VB 提供的高电流能力(最大 12A)使其能够高效驱动各种电动机,尤其是在工业电动机、电动工具以及电动汽车(EV)等领域中。MOSFET 的高耐压特性确保其能在电动机的高电流和快速切换环境中稳定工作。

3. **电力管理系统(Power Management Systems)**
  - STP8NA50FI-VB 在电力管理系统中应用广泛,特别是在需要将直流电转换为交流电或反之的逆变器中。其高耐压(650V)使其能够适应更高的电压要求,适用于太阳能逆变器、电池管理系统以及功率调节模块中,帮助提高系统的整体效率和稳定性。

4. **电力模块和变频器**
  - 在变频器(VFD)和电力模块中,STP8NA50FI-VB 作为开关元件,能够高效控制电流流向和调节电压。由于其快速开关性能,能够在工业自动化、传动系统以及可再生能源转换等领域提供可靠的功率控制。

5. **高功率灯光控制和LED驱动**
  - 在需要高功率驱动的LED照明系统中,STP8NA50FI-VB 的高电流能力和高耐压特性使其成为理想的选择。尤其在商用和工业照明领域,能够高效控制LED灯的电流和电压,提高照明系统的整体性能,并减少热量产生。

6. **功率放大器和音频设备**
  - STP8NA50FI-VB 也适用于高功率音频放大器和其他音响系统中的电力控制。其高耐压和高电流承载能力使其能在高功率音响应用中提供稳定的电源,使系统能够处理高电流并提供清晰、无失真的音频输出。

---

### **总结**

STP8NA50FI-VB 是一款高压、低导通电阻的 N-Channel MOSFET,具有 650V 的耐压和 12A 的漏电流能力。它采用 Plannar 技术,能够提供高效的电流控制,适用于开关电源、电动机驱动、电力管理系统、变频器、LED驱动及音频功率放大器等高功率、高电流和高效率的应用领域。无论是在工业、电力电子,还是在电动汽车和照明系统中,STP8NA50FI-VB 都能够提供可靠的性能,帮助提升系统效率并降低功耗。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    159浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    141浏览量