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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STP7NB60FP-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STP7NB60FP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### **STP7NB60FP-VB 产品简介**

STP7NB60FP-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压、高功率应用设计。其最大漏源电压(V_DS)为 650V,能够满足工业电源、高压电力系统等要求高电压承载的应用需求。该 MOSFET 具有出色的导通电阻(R_DS(ON)),在 V_GS = 10V 时为 1100mΩ,适合需要低功耗和高效率的应用。

STP7NB60FP-VB 使用 Plannar 技术制造,提供了较高的稳定性和良好的热管理能力,适用于高频、高电流环境。其最大漏极电流(I_D)为 7A,确保能够处理较大电流负载,适合在多个领域内的电力转换和驱动系统中使用。凭借其出色的开关特性和耐高压能力,STP7NB60FP-VB 是电源系统、逆变器、以及电动机驱动等领域中的理想选择。

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### **STP7NB60FP-VB 详细参数说明**

| **参数**                     | **描述**                              |
|----------------------------|-------------------------------------|
| **封装**                     | TO220F                              |
| **配置**                     | 单一 N-Channel                      |
| **V_DS(最大漏源电压)**       | 650V                                 |
| **V_GS(最大栅极-源极电压)**   | ±30V                                |
| **V_th(阈值电压)**          | 3.5V                                |
| **R_DS(ON)(导通电阻)**      | 1100mΩ@V_GS=10V                    |
| **I_D(最大漏电流)**         | 7A                                  |
| **技术**                     | Plannar 技术                        |
| **工作温度范围**             | -55°C 到 150°C                       |
| **开关速度**                 | 中等开关速度,适合高频开关应用      |
| **应用**                     | 高压电源、电动机驱动、逆变器等        |
| **热管理**                   | 良好的热管理,适合大功率应用         |

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### **STP7NB60FP-VB 适用领域和模块**

STP7NB60FP-VB 由于其出色的高电压承载能力和较低的导通电阻,广泛应用于高功率电源、电动机驱动、逆变器等领域。以下是该 MOSFET 在不同应用领域中的典型应用:

1. **开关电源(SMPS)**
  - STP7NB60FP-VB 在开关电源中常用于高压直流到交流(DC-AC)转换的环节,特别适用于高功率需求的应用。其低导通电阻(R_DS(ON) = 1100mΩ)有助于减少电源的能量损耗,从而提高整体转换效率。广泛应用于工业电源、服务器电源以及高效充电器等。

2. **电动机驱动系统**
  - 在电动机驱动系统中,STP7NB60FP-VB 被广泛应用于变频驱动器(VFD)和电动工具等设备中。该 MOSFET 能够承受较高电压(650V),同时提供稳定的开关性能,非常适合于高电流、高频率的电动机控制系统。它能够有效降低驱动系统的功率损耗并提升系统效率。

3. **逆变器(Inverter)**
  - 在太阳能逆变器、风力发电逆变器等可再生能源领域,STP7NB60FP-VB 可以用于高效的电力转换。其高漏源电压能力(650V)使其适用于逆变器的高压 DC/AC 转换,并有效减少逆变器中的开关损耗,提升能源转换效率。

4. **高压电源系统**
  - STP7NB60FP-VB 特别适用于工业高压电源系统,在这类系统中,该 MOSFET 能够承受高达 650V 的电压,并在电流控制和电力转换过程中提供稳定可靠的开关性能。此类应用常见于电力分配系统、可编程电源模块和工业自动化控制系统。

5. **电动汽车(EV)电源管理**
  - 在电动汽车的电源管理系统中,STP7NB60FP-VB 通过提供高效的功率转换,帮助管理高电压电池和驱动电动机。其低导通电阻和高电压耐受能力使其成为电动汽车电池管理系统(BMS)和电动汽车电动机驱动模块的理想选择。

6. **UPS(不间断电源)**
  - STP7NB60FP-VB 在不间断电源(UPS)系统中也有广泛应用,尤其是在高功率负载和高电压需求的环境下。其优异的电流处理能力和开关效率使其能够有效提高 UPS 系统的工作效率,并降低能量损耗,保证电力系统的稳定性。

### **总结**

STP7NB60FP-VB 是一款高压、高效的 N-Channel MOSFET,具有 650V 的最大漏源电压和 7A 的最大漏电流,适用于需要高电压和高效能的电力转换应用。其低导通电阻(R_DS(ON) = 1100mΩ)使其在高电流负载下能够有效减少能量损耗,广泛应用于开关电源、电动机驱动系统、逆变器、电动汽车电源管理以及 UPS 系统中。STP7NB60FP-VB 的 Plannar 技术、良好的热管理能力和稳定的开关特性使其成为各类高功率电源系统中的理想选择。

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