企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

STP6NK60ZFP-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STP6NK60ZFP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### STP6NK60ZFP-VB MOSFET - 产品简介

STP6NK60ZFP-VB 是一款高压 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,具有最大耐压 650V,适用于需要高电压、高功率处理的应用。该产品采用 Plannar 技术,具备低导通电阻(R_DS(ON) = 1100mΩ @ V_GS = 10V)和良好的开关性能,能够承受较大的漏极电流(I_D = 7A)。该 MOSFET 适合用于高频率的开关电源、电机驱动、灯光控制及其他需要高电压控制的系统。

STP6NK60ZFP-VB 的设计特点使其在需要高可靠性和耐用性的电力转换应用中表现优异,广泛应用于工业自动化、电源管理、LED 驱动、电动机驱动等多个领域。

---

### STP6NK60ZFP-VB MOSFET - 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单 N 通道  
- **最大漏源电压(V_DS)**:650V  
- **最大栅源电压(V_GS)**:±30V  
- **阈值电压(V_th)**:3.5V  
- **导通电阻(R_DS(ON))**:  
 - 1100mΩ @ V_GS = 10V  
- **最大漏极电流(I_D)**:7A  
- **技术**:Plannar  
- **最大功耗**:适用于高功率应用  
- **开关性能**:适用于高频开关电源和高电流控制应用  
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C  
- **电气特性**:适用于高效电源和控制模块  
- **最大功率损耗**:取决于负载和工作环境

---

### 应用领域和模块举例

1. **高效开关电源(SMPS)**
  STP6NK60ZFP-VB 在高效开关模式电源(SMPS)中,尤其是用于转换交流电到直流电的应用中,具有广泛应用。其最大耐压为 650V,使其适合在高电压输入环境下工作。例如,在服务器电源、电力供应系统、消费电子电源等中都能有效地进行高效电力转换。

2. **LED 驱动系统**
  在 LED 照明系统中,STP6NK60ZFP-VB 可用于高压电源驱动。由于其低导通电阻和高开关速度,能够有效控制大功率 LED 模块,提供稳定的电流,确保 LED 光源的高效照明和延长其使用寿命。其高耐压和良好的散热特性使其在商业和工业照明中应用广泛。

3. **电动机驱动与控制**
  该 MOSFET 适用于电动机驱动系统,尤其是在工业自动化和家电领域。由于其耐压特性和较高的漏极电流处理能力,STP6NK60ZFP-VB 可在电动机的启动、控制和停止过程中提供平稳的电流流动,广泛应用于电动工具、电动泵和空调等设备。

4. **工业电源管理系统**
  在工业电源管理系统中,STP6NK60ZFP-VB 可用于电池充电器、电源调节和电池保护电路。它的高耐压能力使其能在高压环境下稳定工作,适用于需要高电流控制的工业应用,如UPS(不间断电源)和电池管理系统。

5. **电力转换与电压调节**
  STP6NK60ZFP-VB 可以广泛应用于电力转换器、直流-直流转换器(DC-DC Converter)和电压调节模块。其高效的开关特性和低导通电阻使其能够以较低的功耗处理较高的功率,适合用于智能电网、可再生能源系统(如太阳能或风能电力系统)中的电压调节和功率转换应用。

6. **电源适配器与充电系统**
  STP6NK60ZFP-VB 也广泛应用于电源适配器和充电系统中,特别是在电池管理和充电过程中。在电池电压调节和过载保护电路中,该 MOSFET 能够高效稳定地控制功率流动,防止过电压或过电流问题发生。

---

总结来说,STP6NK60ZFP-VB 作为一款高压 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气性能和可靠的工作特性,广泛应用于开关电源、电动机驱动、电池管理、LED 驱动以及电力转换等领域。无论是高效的电源转换,还是高压控制和开关操作,该 MOSFET 都能提供稳定、可靠的性能。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    159浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    140浏览量