--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:
**STP6N60FI-VB** 是一款高压、高效率的 **N-Channel MOSFET**,采用 **TO220F** 封装,设计用于各种高压开关和功率转换应用。其 **650V** 的最大漏源电压(VDS)和 **7A** 的最大漏极电流(ID)使其适合用于高功率电子设备,尤其是在要求高耐压和高开关性能的场合。其 **RDS(ON)** 值为 **1100mΩ** (在 **VGS=10V** 时),能够在开关过程中提供较低的导通损耗,降低系统的热量生成。该产品采用 **Plannar技术**,具有较好的开关特性和热性能,适合用于各种电源管理和电动机驱动的应用场景。
### 详细参数说明:
- **型号**:STP6N60FI-VB
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源电压(VDS)**:650V
- **最大门源电压(VGS)**:±30V
- **门源阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- **1100mΩ**(在 **VGS=10V** 时)
- **最大漏极电流(ID)**:7A
- **最大功率耗散**:125W
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **技术类型**:Plannar
- **特点**:
- 适用于高压开关和电力转换
- 低 **RDS(ON)** 提供低功率损耗
- 650V 高电压耐受能力
- **7A** 最大电流能力
- 采用 **Plannar技术**,优化的开关特性和热性能
### 应用领域及模块举例:
1. **电源管理与转换:**
- **模块示例**:DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、开关电源
- **应用说明**:STP6N60FI-VB 可用于 **DC-DC 转换器** 和 **AC-DC 电源适配器**,尤其在需要高电压承受能力和高效能开关的应用场合。其 **650V** 的漏源电压能力使其能够处理较高电压的电源转换任务,适用于工业电源、通信设备、电力系统等领域。此外,其较低的导通电阻(**RDS(ON) = 1100mΩ**)帮助降低转换过程中的损耗,提升系统整体的效率。
2. **电动机驱动与控制:**
- **模块示例**:电动机驱动器、变频器、伺服电动机驱动
- **应用说明**:该型号的 MOSFET 适合用于 **电动机驱动器** 和 **变频器** 等高功率电机控制应用。其高 **VDS(650V)** 和适中的 **ID(7A)** 能够承受较高的电压和电流负载,非常适合用于驱动大功率电动机,确保电动机在不同负载下稳定运行。特别是在变频器系统中,STP6N60FI-VB 可以高效开关,减少能量损耗,确保平稳的电动机转速控制。
3. **照明控制与能源调节:**
- **模块示例**:LED 驱动电路、功率调节模块、电子变压器
- **应用说明**:STP6N60FI-VB 可以用于 **LED 驱动电路** 和 **功率调节模块**,在灯具驱动、电子变压器等领域广泛应用。其 **650V** 的高电压耐受能力,使其适用于要求高电压承受能力的照明系统,尤其是在调光器和电力调节系统中。通过减少开关损耗,帮助提升能源使用效率,减少照明控制系统的热量和功率浪费。
4. **汽车电子与电力控制:**
- **模块示例**:汽车电力管理、电池管理系统、车载电源模块
- **应用说明**:在 **汽车电力管理系统** 中,STP6N60FI-VB 可以作为 **电池管理系统** 和 **车载电源模块** 的关键组成部分。其高 **VDS(650V)** 和适中 **ID(7A)** 使其适用于电池充放电控制和电动系统的功率调节。特别是在电动汽车的 **电池管理系统(BMS)** 中,STP6N60FI-VB 提供精确的电压控制和电流调节,确保电池充电过程的安全性和效率。
5. **高压开关与工业应用:**
- **模块示例**:工业电力调节器、高压电源模块、UPS 电源系统
- **应用说明**:STP6N60FI-VB 还适用于高压开关和 **UPS 电源系统**。其 **650V** 的最大漏源电压使其能承受工业应用中的高电压工作环境,特别在 **电力调节器** 和 **UPS 系统** 中,提供高效的电能转换和稳压功能,确保系统在高负载或断电情况下的可靠运行。
### 总结:
**STP6N60FI-VB** 是一款高压、高效能的 **N-Channel MOSFET**,采用 **TO220F** 封装,适用于 **650V** 电压等级的高功率开关应用。其低 **RDS(ON)** 和高 **ID** 性能使其非常适合在电源管理、电动机控制、汽车电力系统和工业电力调节等领域中应用。无论是在电源转换、工业控制,还是电池管理系统中,STP6N60FI-VB 都能提供高效能、高稳定性的电力调节与转换解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12