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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STP5NK40ZFP-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STP5NK40ZFP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### STP5NK40ZFP-VB MOSFET 详细信息

#### 一、产品简介

STP5NK40ZFP-VB 是一款采用 TO220F 封装的 N 沟道 MOSFET,具有 650V 的漏源电压(VDS)和较高的耐压能力,专为中高电压应用设计。其栅源电压(VGS)最大为 ±30V,阈值电压(Vth)为 3.5V。该 MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ(在 VGS = 10V 下),漏极电流(ID)为 7A,适用于中等电流和高压的开关控制。STP5NK40ZFP-VB 使用 Plannar 技术,具有较好的热性能和稳定性。

由于其较高的耐压和中等电流承载能力,这款 MOSFET 适用于需要高耐压的电源控制、工业设备、功率放大器和其他高电压负载的开关应用。STP5NK40ZFP-VB 提供稳定、高效的性能,尤其适合高开关频率的电源管理、电动机驱动和保护电路等应用。

#### 二、详细参数说明

- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单 N 沟道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V(最大)
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 1100mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:7A
- **技术**:Plannar 技术
- **工作温度范围**:-55°C 到 +150°C

**典型参数**:
- **VDS(漏源电压)**:650V,适用于高电压应用,能够提供高耐压保护。
- **VGS(栅源电压)**:最大 ±30V,适合较高的栅极驱动电压。
- **RDS(ON)(导通电阻)**:1100mΩ @ VGS = 10V,提供较低的开关损耗。
- **ID(最大漏极电流)**:7A,适合中等电流控制。

#### 三、应用领域与模块示例

**1. 高压开关电源(SMPS)**
STP5NK40ZFP-VB 在高压开关电源中可用作高电压电源转换模块中的开关元件。它的 650V 耐压能力使得它在大功率 AC-DC 和 DC-DC 转换器中表现出色。由于导通电阻较低,该 MOSFET 可在高开关频率下工作,确保电源转换过程中尽可能减少功率损耗,提高整体系统效率。它广泛应用于不间断电源(UPS)、电池充电器、LED 驱动电源等。

**2. 电动机驱动与控制**
STP5NK40ZFP-VB 可以用于电动机控制系统,特别是那些需要高耐压保护的工业电动机驱动系统。MOSFET 的低导通电阻使其在高电流负载下仍能保持较低的开关损耗,适用于电动工具、电动汽车、电动门等应用中的电动机控制模块。其高耐压特性能够承受电动机启动和运行过程中的电压波动,保证系统的稳定运行。

**3. 电池管理系统(BMS)**
在电池管理系统中,STP5NK40ZFP-VB 作为开关元件,用于控制电池组的充放电过程。MOSFET 的高耐压和中等电流承载能力使其适用于中等功率电池组,尤其是在电动工具、家电和可再生能源储能系统中。其良好的导电性能和低功耗特点,能够保证电池的安全充放电,并防止过压和过流的发生。

**4. 逆变器与变频器**
STP5NK40ZFP-VB 在逆变器和变频器中广泛应用,特别是在太阳能逆变器、电动汽车驱动器和工业变频器等系统中。由于其能够承受高电压和大电流,MOSFET 能够高效地控制电流流动,从而实现功率转换和频率调节。其低导通电阻进一步优化了系统的效率,减少了能量损耗。

**5. 电源保护与过压保护电路**
STP5NK40ZFP-VB 可应用于高压电源保护系统中,作为过压保护电路中的开关元件。它能够在电源电压超过安全范围时,迅速断开电源,防止设备受损。该 MOSFET 的高耐压能力使其适用于各种需要防护的电力系统,例如工业设备、电力传输和配电系统中。

**6. 功率放大器**
在高功率放大器应用中,STP5NK40ZFP-VB 可作为功率开关元件,用于调节电流流量,特别适用于射频(RF)功率放大器和音频功率放大器中。其高耐压和稳定性使其在需要高电流驱动和高功率放大的应用中非常有效,尤其是在广播、通信和音响设备等领域。

### 总结

STP5NK40ZFP-VB 是一款适用于高压应用的 MOSFET,具有 650V 的耐压能力和 7A 的漏极电流,采用 TO220F 封装和 Plannar 技术。其低导通电阻和高耐压特性使其在高压开关电源、电动机驱动、逆变器、电池管理系统和电源保护等多个领域中具有广泛应用。通过降低开关损耗并提高系统效率,STP5NK40ZFP-VB 能够满足中等电流和高电压需求的各种工业和消费电子应用。

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