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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STP4NC60ZFP-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STP4NC60ZFP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### STP4NC60ZFP-VB MOSFET 详细信息

#### 一、产品简介

STP4NC60ZFP-VB 是一款采用 TO220F 封装的 N 沟道 MOSFET,具有较高的耐压(VDS)650V,适合用于中高电压应用。该 MOSFET 使用平面(Plannar)技术,具有较为合理的导通电阻(RDS(ON))和较低的漏极电流(ID)为 4A,适用于电源转换、电动机驱动以及其他中等功率的应用。STP4NC60ZFP-VB 主要应用于需要高电压耐受能力的开关电源、逆变器、电动工具、电池管理系统等领域。

尽管导通电阻为 2560mΩ @ VGS=10V,适用于对功率损耗有一定容忍度但仍需高电压承载能力的应用环境。它非常适合需要耐高压且中等电流负载控制的场景。

#### 二、详细参数说明

- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单 N 沟道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V(最大)
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:4A
- **技术**:Plannar 技术
- **工作温度范围**:-55°C 到 +150°C,适应各种环境条件。

**典型参数**:
- **VDS(漏源电压)**:650V,适合用于高电压应用,能够有效承受高电压负载。
- **VGS(栅源电压)**:最大 ±30V,能够支持高电压栅极驱动。
- **RDS(ON)(导通电阻)**:2560mΩ @ VGS = 10V,虽然导通电阻相对较高,但该 MOSFET 在高电压场合下仍能提供稳定的开关控制。
- **ID(最大漏极电流)**:4A,适用于中等电流负载。

#### 三、应用领域与模块示例

**1. 开关电源(SMPS)**
STP4NC60ZFP-VB MOSFET 广泛应用于开关电源(SMPS)中,尤其适用于电源转换器、稳压电源等系统。在这些应用中,该 MOSFET 能够承担高电压的负载并控制电力的流动,同时通过其较高的电压耐受性和稳定性,确保电源系统的可靠性。尽管其导通电阻较高,但仍能在许多低到中功率的电源系统中使用。

**2. 逆变器与变频器**
STP4NC60ZFP-VB 适用于逆变器和变频器应用,尤其是在高压逆变器中作为开关元件进行功率转换。该 MOSFET 可用在太阳能逆变器、风力发电系统、以及工业电力调节中。由于其 650V 的耐压能力,它能够适应这些系统中较高的工作电压,同时保持良好的开关特性。

**3. 电动工具和家电**
该 MOSFET 也非常适用于电动工具和家电中的电机驱动系统。STP4NC60ZFP-VB 可作为电动工具中的开关元件,用于控制电流的流动,从而实现电动机的启动、调速与停止。家电如电动风扇、空调等设备中的电机控制也可使用该 MOSFET,提供稳定的电流控制。

**4. 电池管理系统(BMS)**
在电池管理系统(BMS)中,STP4NC60ZFP-VB 作为开关元件能够有效控制充电和放电过程,确保电池的保护和管理。尤其适用于电动汽车(EV)和储能系统中的电池组管理,能够提供可靠的电流控制,保证系统的安全性和长效性。

**5. 功率放大器与射频电路**
STP4NC60ZFP-VB 还可在功率放大器和射频电路中应用。作为高电压环境下的开关元件,它能承受较高的电压和电流,适合用于广播通信设备、高频电子设备等领域。其稳定的开关特性和高电压耐受性使其成为高频应用中的理想选择。

**6. 汽车电子**
STP4NC60ZFP-VB 适用于汽车电子系统,特别是在电动汽车(EV)和混合动力车(HEV)的电池管理、电动机驱动和功率转换系统中。在这些系统中,MOSFET 用于控制电池的充电与放电过程,以及管理电动机的驱动功率。650V 的耐压特性使其在电动汽车的电力传输系统中具有广泛的应用前景。

**7. 高功率负载开关**
STP4NC60ZFP-VB 在高功率负载开关应用中也有广泛应用。例如,它可用于工业控制中的高电压电源开关、电力模块的控制等。在这些应用中,MOSFET 用于实现负载的可靠开关,确保设备稳定运行。

### 总结

STP4NC60ZFP-VB 是一款适合中到高电压应用的 N 沟道 MOSFET,具有 650V 的高耐压和 4A 的中等电流承载能力。尽管其导通电阻较高,但仍广泛应用于开关电源、逆变器、家电控制、电动工具、电池管理系统等领域。它的高电压耐受能力使其适用于各种中等功率负载的开关控制,确保系统高效、稳定运行。

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