--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:STP4NC60FP-VB
STP4NC60FP-VB是一款高电压、高性能N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装,设计用于高压电源和开关应用。该MOSFET的最大漏源电压(V_DS)为650V,最大栅源电压(V_GS)为±30V,能够在高电压环境下提供稳定的电流开关。其导通电阻(R_DS(ON))为2560mΩ @ V_GS=10V,最大漏极电流(I_D)为4A。该型号采用Plannar技术,提供了稳定的电流控制能力和较低的开关损耗,非常适用于电源转换器、电动机驱动器以及高效功率开关等应用。
### 详细参数说明:
- **型号**:STP4NC60FP-VB
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压(V_DS)**:650V
- **最大栅源电压(V_GS)**:±30V
- **阈值电压(V_th)**:3.5V
- **导通电阻(R_DS(ON))**:2560mΩ @ V_GS=10V
- **最大漏极电流(I_D)**:4A
- **技术类型**:Plannar技术(传统的平面技术,适合大功率应用)
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C(具体数值请参考数据手册)
- **功率耗散**:该MOSFET具有较高的功率承载能力,适合用于高功率密度应用。
### 适用领域与模块:
1. **电源转换器(DC-DC变换器、AC-DC变换器)**
STP4NC60FP-VB广泛应用于各种电源转换器中,特别是在高电压应用中,如DC-DC变换器、AC-DC适配器、逆变器等。这款MOSFET的高V_DS(650V)使其能够在电力转换中提供稳定的电流开关,广泛应用于电源管理系统、UPS(不间断电源)以及其他电力系统中。
2. **电动机驱动器与控制系统**
在电动机驱动系统中,STP4NC60FP-VB可以作为开关元件,控制电动机的启动、停止、调速等操作。其高电压承载能力使其适合于直流电机(DC motor)、交流电机(AC motor)以及步进电机(Stepper motor)驱动系统中,提供精确的电流控制,确保电动机高效稳定运行。
3. **家用电器与工业设备**
STP4NC60FP-VB可用于各种家用电器和工业控制设备中,特别是用于需要高电压控制的场合。由于其650V的V_DS,适合用在电力驱动模块、加热器、电动工具以及其他家电中,确保设备的功率控制精确和高效。
4. **照明控制系统与LED驱动器**
该MOSFET在LED照明驱动电源中也有广泛应用,尤其适用于高功率LED驱动电源和灯光控制系统中。其较高的V_DS和稳定的开关特性使其能够在LED驱动电源中提供高效的电流控制,保证LED灯具长时间稳定工作,并且降低功率损耗。
5. **工业功率开关与逆变器**
STP4NC60FP-VB的650V耐压使其适合用于工业级功率开关和逆变器中。例如,在光伏逆变器、电动汽车充电桩及风能发电系统中,STP4NC60FP-VB可以高效地切换电流,进行直流和交流的转换,从而提升系统效率并减少电能损耗。
6. **高效照明系统与电池管理**
由于其稳定的性能和较低的导通电阻,STP4NC60FP-VB广泛应用于高效照明系统和电池管理系统中。其高电压适应性使其在高功率电池充电器和电池保护电路中具有很好的表现,能够为设备提供稳定的电流和电压控制,提升系统的可靠性和安全性。
### 总结:
STP4NC60FP-VB是一款专为高电压开关应用设计的N沟道MOSFET,具有650V的最大漏源电压、4A的最大漏极电流和2560mΩ的低导通电阻,适用于电源管理、电动机控制、工业设备、照明驱动和逆变器等多个领域。其高效的开关性能、稳定的电流控制以及广泛的适用性,使其成为高功率电源转换、负载开关和电力驱动系统中的理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12