--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### STP10NK60ZF-VB MOSFET 产品简介
STP10NK60ZF-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 通道 MOSFET,设计用于高压功率控制应用。其最大漏源电压(VDS)为 650V,使其适用于需要中高电压耐受能力的电力电子系统。该 MOSFET 具有 12A 的最大漏极电流(ID)和较低的导通电阻(RDS(ON) 为 680mΩ 在 VGS=10V 时),能够有效减少电流损耗和发热,提供高效的功率转换。VGS(栅源电压)的最大耐压为 ±30V,栅阈电压(Vth)为 3.5V,确保其在正常工作条件下具有稳定的开关性能。STP10NK60ZF-VB 采用 Plannar 技术,以提高开关特性和降低导通电阻,使其在高效能和高功率应用中表现卓越。
### STP10NK60ZF-VB MOSFET 详细参数说明
- **型号**:STP10NK60ZF-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单 N 通道
- **VDS**(漏源电压):650V
- **VGS**(栅源电压):±30V
- **Vth**(栅阈电压):3.5V
- **RDS(ON)**(导通电阻):
- 680mΩ @ VGS=10V
- **ID**(最大漏极电流):12A
- **技术**:Plannar
### STP10NK60ZF-VB MOSFET 的应用领域与模块举例
1. **高压电源转换**
STP10NK60ZF-VB 的 650V 最大漏源电压使其成为高压电源转换应用中的理想选择,尤其适用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器及电力调节模块。它可以有效控制电压调节,提高电源转换效率,降低功率损失和热量,保证系统的稳定运行。在工业电源系统、家电电源及其他高功率电子设备中,STP10NK60ZF-VB 能够提供可靠的开关性能,适应较高电压环境。
2. **电力驱动与电动机控制**
在电力驱动系统中,STP10NK60ZF-VB 适用于需要高电压、高电流控制的电动机驱动电路。其高达 650V 的耐压能力,使其能够在工业自动化、电动工具和电动交通工具的电动机控制系统中稳定工作。在电动机的启动、调速、逆变和故障保护等方面,STP10NK60ZF-VB 提供了高效、精确的控制,提升了系统的可靠性与运行效率。
3. **逆变器与不间断电源(UPS)**
STP10NK60ZF-VB 的高电压能力使其适合用于逆变器和 UPS 系统,尤其是太阳能逆变器、风能逆变器及电池备份电源。其能够处理较高的电压和电流负载,确保电源稳定转换,并在电力中断时提供备用电源。在光伏发电、风力发电及其他可再生能源系统中,STP10NK60ZF-VB 可以有效提升能源转换效率,并减少损耗。
4. **家电电力系统**
该 MOSFET 可广泛应用于家电设备的电力系统,如空调、冰箱、电饭煲等产品中。其高电压和高效能的特点使其能够支持这些家电的电力转换,保证设备稳定、安全运行。STP10NK60ZF-VB 通过减少导通电阻,降低能量损失,从而提升家电的能效。
5. **焊接设备与高功率电子应用**
STP10NK60ZF-VB 的高电压与较高的电流能力,使其适用于焊接设备中的电力控制模块。在大功率应用中,如焊接机、高频发射器等,STP10NK60ZF-VB 可以帮助高效切换大功率负载,确保稳定运行并降低设备的热损耗,增强系统的长时间工作能力。
6. **轨道交通与高压电力系统**
STP10NK60ZF-VB 在轨道交通系统中也有广泛的应用,尤其是在电力牵引系统和铁路电力变换器中。它能够在 650V 高电压环境下稳定工作,用于电力转换、负载调节以及电机控制等。其耐压性能和低导通电阻非常适合用于电动列车和轨道交通中的电力电子设备。
### 总结
STP10NK60ZF-VB 是一款高耐压、低导通电阻的单 N 通道 MOSFET,具有 650V 的漏源电压和 12A 的最大漏极电流。它采用 TO220F 封装,并使用 Plannar 技术,具有较高的开关效率和较低的导通损耗。该 MOSFET 适用于高压电源转换、电力驱动、电动机控制、逆变器、电力供应系统等多个领域。其高效能和稳定性使其在各种高功率应用中表现出色,特别是在需要承受较高电压和电流负载的场合。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12