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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STK830F-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STK830F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### **STK830F-VB 产品简介**

STK830F-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 通道 MOSFET,采用先进的 Plannar 技术设计,具有 650V 的最大漏源电压(VDS)和 7A 的最大漏极电流(ID),广泛应用于中高压电源和开关电路中。这款 MOSFET 的栅源电压(VGS)最大为 ±30V,适合大多数电源控制和电池管理系统。STK830F-VB 的导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ(在 VGS = 10V 下),虽然该电阻值略高,但其高电压承受能力使其在需要大电压耐受性和中电流承载能力的应用中表现出色。

该型号 MOSFET 适用于各种电源管理系统、逆变器、开关电源和电池保护模块,尤其是在高电压应用场景中,能够提供可靠的性能。它的低栅源电压阈值和良好的开关特性使其适合用于高效率电源模块,尤其在工业和消费电子领域。

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### **产品详细参数说明**

| **参数**                  | **值**                              | **说明**                                                                     |
|---------------------------|-------------------------------------|-----------------------------------------------------------------------------|
| **封装类型**               | TO220F                              | TO220F 封装,具有良好的散热性能和适用于高电压的电源应用。                     |
| **配置**                  | 单 N 通道                            | 单 N 通道配置,适用于电源管理和负载控制电路,提供高效的开关性能。              |
| **漏源电压 (VDS)** | 650V                                | 最大漏源电压为 650V,适用于高压应用,如中等电压开关电源、逆变器等。            |
| **栅源电压 (VGS)** | ±30V                                | 最大栅源电压为 ±30V,适应各种电源模块和控制电路。                             |
| **开启电压 (Vth)**  | 3.5V                                | 开启电压为 3.5V,适用于常见的栅电压驱动,能够满足多种电源电路设计需求。          |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1100mΩ @ VGS = 10V      | 导通电阻为 1100mΩ,在高压操作下,导通电阻适中,适用于中电流应用。                |
| **最大漏极电流 (ID)**  | 7A                                  | 最大漏极电流为 7A,适合用于中功率负载和控制电路。                              |
| **技术**                  | Plannar                             | 采用 Plannar 技术,优化了导通电阻和开关特性,适用于多种电源和负载开关应用。       |

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### **应用领域和模块举例**

1. **开关电源 (SMPS)**
  STK830F-VB 适用于开关电源(SMPS),特别是在需要较高耐压(如 650V)的电源设计中。它的高耐压能力使其可以处理高电压输入,并高效地转换电压,减少电源损失并提高转换效率。STK830F-VB 能在高频率操作下提供优异的性能,适合用于家电电源、计算机电源、工业电源等设备。

2. **逆变器**
  在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中,STK830F-VB 被广泛应用于功率转换和负载控制。由于其高耐压能力(650V),它能够在逆变器系统中高效开关 DC 电压到 AC 电压,并且能够承受高电压和电流。它的低栅源电压阈值和良好的导通特性,使其在高压输入的逆变器设计中表现优异。

3. **电池管理系统 (BMS)**
  在电池管理系统(BMS)中,STK830F-VB 可以用作电池保护电路中的开关元件。该 MOSFET 提供高压保护,并能有效控制充电和放电过程中的电流流动。对于电动汽车(EV)和储能系统等应用,STK830F-VB 可确保电池的安全和高效工作,降低系统功率损失,提高电池使用寿命。

4. **电动工具电源**
  电动工具电源系统也可以使用 STK830F-VB 作为电池电流的开关元件,特别是在中等电压和电流需求的电动工具中。其 7A 的最大漏极电流能够满足常见电动工具的功率需求,并有效地控制电流流动。低导通电阻确保高效的电力传输,减少电池的能量损失。

5. **电池充电器**
  在电池充电器中,STK830F-VB 提供高效的开关功能。它能够在电池充电过程中调节电流并减少电流切换时的功率损耗,确保电池安全充电。适用于充电器模块,尤其是针对高电压和高电流的快速充电系统,例如用于电动工具、电动自行车和电动汽车的充电器。

6. **电源模块和负载开关**
  STK830F-VB 适用于各种电源模块和负载开关应用,尤其是对于需要稳定电压和电流控制的中压系统。其高耐压能力和低导通电阻确保了高效的电源管理和负载控制。无论是工业控制系统、通信设备电源模块,还是消费电子产品的电源管理,都能够充分利用其优异的电流开关性能。

### **总结**

STK830F-VB 是一款具有 650V 耐压的单 N 通道 MOSFET,采用 Plannar 技术,适合用于高压电源系统、逆变器、电池管理系统等应用。它具有 7A 的最大漏极电流和 1100mΩ 的导通电阻,提供高效的电流开关和控制功能。由于其高电压和中电流的承载能力,STK830F-VB 可广泛应用于开关电源、电池充电器、电动工具、电动汽车和工业电源管理模块,提升系统效率,减少功率损耗,并确保设备稳定运行。

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