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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STK1060F-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STK1060F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### **STK1060F-VB 产品简介**

STK1060F-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 通道 MOSFET,设计用于高效的开关电源和负载控制应用。其最大漏源电压(VDS)为 650V,适合在中高压电源转换和电流开关中使用。STK1060F-VB 的最大漏极电流(ID)为 12A,能够支持较高功率的负载控制,特别适用于高压驱动电路和电源管理模块。

该器件采用 Plannar 技术,提供良好的开关特性和较低的导通电阻(RDS(ON))680mΩ @ VGS = 10V,能够有效减少导通损耗并提高系统效率。由于其较高的耐压特性和高效的电流控制能力,STK1060F-VB 可广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)等领域,适合用于各类需要高效开关的电力电子系统。

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### **产品详细参数说明**

| **参数**                  | **值**                            | **说明**                                                                       |
|---------------------------|-----------------------------------|-------------------------------------------------------------------------------|
| **封装类型**               | TO220F                            | TO220F 封装,适用于较高功率的开关和电源管理应用,提供良好的散热性能。            |
| **配置**                  | 单 N 通道                          | 单 N 通道配置,适用于正电源或电源开关应用,广泛用于电池管理、电源控制模块等。     |
| **漏源电压 (VDS)** | 650V                              | 最大漏源电压为 650V,适合在高压环境下使用,特别是工业控制、家电电源等领域。       |
| **栅源电压 (VGS)** | ±30V                              | 最大栅源电压为 ±30V,适用于大多数开关电源和高压控制电路。                       |
| **开启电压 (Vth)**  | 3.5V                              | 开启电压为 3.5V,适用于常见的电源和负载开关应用。                                 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 680mΩ @ VGS = 10V      | 在 VGS = 10V 时的导通电阻为 680mΩ,适用于中高功率电源管理应用。          |
| **最大漏极电流 (ID)**  | 12A                               | 最大漏极电流为 12A,适用于中等功率的负载控制应用。                                |
| **技术**                  | Plannar                           | 采用 Plannar 技术,提供较低的导通电阻和较高的开关效率,适合高效电源应用。           |

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### **应用领域和模块举例**

1. **开关电源 (SMPS)**
  STK1060F-VB 是开关电源(SMPS)中常用的高压开关元件,特别适用于中等功率的电源设计。它能够在高压和高频率条件下高效工作,并且具备较低的导通电阻,能够减少电源转换中的功率损耗。在家电电源、工业电源和通信电源等应用中,STK1060F-VB 能够提高系统效率和可靠性。

2. **DC-DC 转换器**
  在 DC-DC 转换器应用中,STK1060F-VB 可作为关键开关元件,能够高效地实现电源电压转换。其高耐压和低导通电阻使其在高频率操作时表现出色,适用于电池充电器、电动工具电源、LED 驱动器等产品中。它能够有效地将输入电压转换为所需的输出电压,同时保持高效率。

3. **负载开关**
  STK1060F-VB 适用于各种负载开关应用。在工业控制系统中,该 MOSFET 可用于开关电流的流动并保护负载电路。其高耐压能力和低导通电阻使其能够高效地进行电流切换并减少能量损失,广泛应用于电机驱动、电池管理和自动化设备的负载控制模块。

4. **电池管理系统 (BMS)**
  在电池管理系统(BMS)中,STK1060F-VB 可以用作电池的充放电开关。由于其耐高压、低导通电阻和较大的漏极电流容量,它能够确保电池组的安全充放电和高效管理。STK1060F-VB 在电动汽车(EV)和储能系统中提供高效的电源转换和电池保护功能,帮助延长电池寿命并提高整体系统性能。

5. **电动工具电源管理**
  电动工具通常需要高效且可靠的电源管理系统,以保证设备的长期运行。STK1060F-VB 作为电动工具中的开关元件,能够高效地管理电池的充放电和电动工具的工作电流。它的高压能力和较低的导通电阻确保电动工具在高负载和高频操作时具有稳定的性能。

6. **工业电气保护电路**
  STK1060F-VB 在工业电气保护电路中也有广泛应用。它可以用于过电流或过压保护电路,作为开关元件有效地控制电流流动,防止电气设备遭受损害。由于其高耐压和低损耗特点,它能够在复杂的工业环境中稳定工作,保证电气系统的安全性和可靠性。

### **总结**

STK1060F-VB 是一款高效的 N 通道 MOSFET,适用于多种高压开关和电源管理应用。它的 650V 最大漏源电压和 12A 最大漏极电流使其在开关电源、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等领域中发挥重要作用。采用 Plannar 技术,STK1060F-VB 提供较低的导通电阻,能够有效降低功率损失并提高转换效率。它广泛应用于家电、电动工具、电动汽车和工业控制等设备中,保证了系统的高效运行和可靠性。

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