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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STK0850F-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STK0850F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### STK0850F-VB MOSFET 产品简介

**STK0850F-VB** 是一款高电压单N通道MOSFET,采用TO220F封装,适用于高达650V的电压环境,并且最大栅源电压为±30V。该MOSFET使用了Plannar技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON) = 680mΩ @ VGS=10V)和相对较高的最大漏电流(ID = 12A),特别适用于需要高电压和中等电流处理的应用场合。STK0850F-VB具有较高的耐压能力和低导通损耗,能够为电源管理系统、功率转换以及各种高压负载开关提供高效能的解决方案。

STK0850F-VB的低RDS(ON)使得其在高压、高电流应用中能够有效降低热损耗,提高系统的整体效率。在功率因数校正(PFC)、开关电源(SMPS)以及逆变器等领域中,STK0850F-VB能够提供可靠的性能支持。

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### 详细参数说明

- **型号**: STK0850F-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 12A
- **开关技术**: Plannar技术
- **最大功率耗散**: 150W
- **门极电荷 (Qg)**: 55nC
- **开关时间 (tR/tF)**: 35ns / 45ns
- **最大结温 (TJ)**: 150°C
- **反向恢复时间 (trr)**: 20ns

STK0850F-VB的主要特点是其650V的高耐压能力和低导通电阻,使其在高功率应用中能高效处理电流,具有出色的开关性能和较低的热损耗,特别适用于高效电源转换系统。

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### 应用领域与模块示例

1. **高压开关电源(SMPS)**:  
  STK0850F-VB在高压开关电源(SMPS)中的应用尤为广泛,尤其是在AC-DC转换器中。其高达650V的耐压能力使其能够处理较高的输入电压,而低导通电阻则有助于降低开关损耗并提高电源的效率。此MOSFET非常适用于电视、电源适配器和电力因数校正(PFC)模块等需要高效能的电源系统。

2. **逆变器应用**:  
  在太阳能发电系统、风能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,STK0850F-VB能够实现高效的DC-AC转换。其650V的耐压能力以及较低的导通电阻使其能够在高电压和大功率环境下提供可靠的开关控制,确保逆变器系统能够高效、稳定地运行。

3. **电动汽车(EV)电池管理系统**:  
  由于其较高的电流承载能力(12A)和高电压耐受性,STK0850F-VB非常适用于电动汽车(EV)电池管理系统(BMS)中的电池充放电控制。它能够有效管理电池的电流和电压,确保电池在充电和放电过程中保持安全、稳定的工作状态。

4. **电池保护与电源管理**:  
  在电池保护电路中,STK0850F-VB可用作电流控制和负载开关元件,保护电池免受过电流或过电压的损害。它在高压电池系统中,能够高效管理充放电过程,确保系统的安全性与长寿命。

5. **工业电源系统**:  
  STK0850F-VB同样适用于工业电源系统,在需要高电压、高功率和高效率的环境中发挥作用。其低RDS(ON)特性能够降低热损耗,并且在电流开关时具有快速响应能力,适合用于工业自动化设备、电力电子设备及其他工业级应用。

综上所述,STK0850F-VB在多个高电压、高效率的应用领域中表现出色,特别适合用于电源管理、功率转换、以及电池保护等高效能和高可靠性的应用场合。

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