企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 78 粉丝

STK0465-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STK0465-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### **STK0465-VB 产品简介**

STK0465-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于高效的电源管理和开关控制应用。它的最大漏源电压(VDS)为 650V,最大漏极电流(ID)为 4A,能够在中高压条件下稳定工作,适用于电源转换、负载开关等多种应用。该 MOSFET 使用了 Plannar 技术,提供了较高的开关效率和较低的开关损耗,能够在高频率操作时保持稳定性能。

STK0465-VB 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS = 10V 时为 2560mΩ,这使得它在低功率应用中表现出较低的损耗和较高的效率。该器件特别适用于需要高耐压和低漏电流的电源管理系统,如开关电源、负载开关、DC-DC 转换器等领域。

---

### **产品详细参数说明**

| **参数**                  | **值**                           | **说明**                                                                       |
|---------------------------|----------------------------------|-------------------------------------------------------------------------------|
| **封装类型**               | TO220F                           | TO220F 封装,适用于较高功率的开关和电源管理应用,提供良好的散热性能。            |
| **配置**                  | 单 N 通道                         | 适用于正电源或电源开关应用,广泛用于电池管理、电源控制模块等。                   |
| **漏源电压 (VDS)** | 650V                             | 最大漏源电压为 650V,适合在高压环境下使用,特别是工业控制、家电电源等领域。       |
| **栅源电压 (VGS)** | ±30V                             | 最大栅源电压为 ±30V,适用于大多数开关电源和高压控制电路。                       |
| **开启电压 (Vth)**  | 3.5V                             | 开启电压为 3.5V,适用于常见的电源和负载开关应用。                                 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 2560mΩ @ VGS = 10V   | 在 VGS = 10V 时的导通电阻为 2560mΩ,适用于中低功率电源管理应用。          |
| **最大漏极电流 (ID)**  | 4A                               | 最大漏极电流为 4A,适用于中等功率的负载控制应用。                                |
| **技术**                  | Plannar                          | 采用 Plannar 技术,提供较低的导通电阻和较高的开关效率,适合高效电源应用。           |

---

### **应用领域和模块举例**

1. **开关电源 (SMPS)**
  STK0465-VB 适用于开关电源(SMPS)中的功率开关模块。由于其较高的漏源电压(650V)和适中的导通电阻(2560mΩ),该 MOSFET 能够在中等功率的开关电源中实现高效电能转换,尤其在家电电源、工业电源和通信电源等应用中发挥重要作用。STK0465-VB 能够降低功率损失,提高整体转换效率,尤其是在高频率操作时。

2. **DC-DC 转换器**
  在 DC-DC 转换器应用中,STK0465-VB 可作为开关元件,尤其适合用于高电压的电源转换模块。其较高的漏源电压和较低的导通电阻使其能够高效工作,减少系统损耗并提高效率。广泛应用于电动工具、LED 驱动电源、电池充电器等设备中,有助于提升系统性能和电池使用时间。

3. **负载开关**
  STK0465-VB 可用于负载开关系统中,作为开关元件控制电流的流向。在工业控制系统中,这款 MOSFET 能够高效地切换负载电流,同时避免过度损耗。由于其较低的导通电阻,它在开关过程中能够有效减少功率损耗,提升系统效率。适用于自动化设备、电机控制系统等负载开关应用。

4. **电池管理系统 (BMS)**
  在电池管理系统中,STK0465-VB 可以用于电池的充放电控制。由于该 MOSFET 能够高效地开关电流并具备较高的耐压,适合在要求严格的电池电流控制和保护电路中应用。特别是在电动汽车(EV)和能源储存系统(ESS)中,STK0465-VB 可以帮助实现精确的电池电流管理,延长电池寿命并提高系统可靠性。

5. **电动工具电源管理**
  电动工具通常需要高效的电源管理系统,以保证长时间工作和较高的电池效率。STK0465-VB 的高耐压特性使其适用于电动工具中的电池管理模块、功率调节和负载控制。它能够确保高效、可靠地控制电动工具中的电流流动,提升工具的整体性能和工作寿命。

6. **电气设备保护电路**
  在工业设备的电气保护电路中,STK0465-VB 也能发挥重要作用。它可以作为开关元件,帮助保护系统免受过电流或过压的影响。高耐压和低导通电阻使其适合用于电气设备的电源保护电路,避免设备损坏并提高系统的安全性。

### **总结**

STK0465-VB 是一款适用于高效电源管理和开关应用的 N 通道 MOSFET,特别是在开关电源、DC-DC 转换器和负载开关模块中表现出色。其较高的漏源电压(650V)和较低的导通电阻使其在中等功率的电源控制中具有显著的优势,广泛应用于电池管理、工业电源和电动工具等领域。通过采用 Plannar 技术,STK0465-VB 提供了优异的开关性能和高效的能量转换,提升了系统的整体效率和稳定性。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    166浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    152浏览量