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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STGP6N60HD-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STGP6N60HD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### STGP6N60HD-VB 产品简介

STGP6N60HD-VB 是一款高压 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于中等电流和高电压应用。该器件的漏源电压(VDS)高达 650V,能够处理 7A 的最大漏极电流(ID)。其导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ,在 VGS = 10V 时工作,适用于电源管理、功率转换、工业自动化等领域。STGP6N60HD-VB 采用 Plannar 技术,确保其在高电压和高电流条件下稳定运行,广泛应用于需要高电压开关和低导通损耗的电子系统中。

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### 产品详细参数说明

| **参数**               | **值**                              | **说明**                                                                |
|------------------------|-------------------------------------|------------------------------------------------------------------------|
| **封装类型**            | TO220F                             | TO220F 封装,适用于中等功率的高电压应用,具有良好的散热性能。               |
| **配置**               | 单一 N 沟道                         | 单极 N 沟道配置,适合高电压开关应用。                                      |
| **漏源电压 (VDS)**  | 650V                                | 最大漏源电压为 650V,适用于高压电源和电力转换应用。                        |
| **栅源电压 (VGS)**  | ±30V                                | 最大栅源电压为 ±30V,适用于多种控制电压的电源管理应用。                    |
| **开启电压 (Vth)**   | 3.5V                                | 开启电压为 3.5V,适合常规的电源开关操作。                                |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1100mΩ @ VGS = 10V      | 导通电阻为 1100mΩ,适合中等电流负载的电源和功率转换应用。                    |
| **最大漏极电流 (ID)**   | 7A                                  | 最大漏极电流为 7A,适合中等电流负载的高电压应用。                        |
| **技术**               | Plannar                             | 采用 Plannar 技术,适合高电压、大电流的开关应用。                          |

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### 应用领域和模块举例

1. **电源管理与功率转换**
  STGP6N60HD-VB 在电源管理和功率转换系统中应用广泛,特别是高电压输入到低电压输出的电源转换器中。由于其具有较高的漏源电压(650V)和中等电流处理能力(7A),它非常适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器,用于处理电力转换过程中的高电压开关操作,保持系统的高效和稳定。

2. **开关电源(SMPS)**
  在开关电源(SMPS)模块中,STGP6N60HD-VB 可用作主要的功率开关元件。它适用于多种类型的开关电源设计,如用于电压变换、隔离转换和电力调节的模块。无论是用于工业设备的电源还是消费电子产品,STGP6N60HD-VB 都能够提供高效的开关控制,降低能量损耗。

3. **电动机控制和驱动系统**
  该 MOSFET 在电动机控制系统中表现出色,尤其适用于驱动高电压电动机(如交流电动机或直流无刷电动机)。其高电压特性使其成为电动工具、电动汽车和大型工业电动机驱动系统中的理想选择,能够可靠地承受高电压和大电流的负载。

4. **太阳能逆变器**
  在太阳能发电系统中,STGP6N60HD-VB 可用作太阳能逆变器的开关元件,帮助将太阳能电池板的直流电转化为交流电。在此类应用中,它能够处理高电压,并且在高电压输入和电池供电的环境中表现优异,适合家庭或商业规模的太阳能发电系统。

5. **电池管理系统(BMS)**
  在电池管理系统中,STGP6N60HD-VB 可用于高压电池组的充放电控制,尤其适用于电动汽车(EV)和大型储能设备。该 MOSFET 能有效处理充电与放电过程中产生的高电压和电流,确保电池系统的安全性和高效性。

6. **工业自动化与控制系统**
  作为一种高电压功率开关,STGP6N60HD-VB 在工业自动化领域的电力转换、驱动控制和功率调节中得到了广泛应用。它可以应用于工业设备的控制模块中,如变频器、电力调节器和驱动器,确保精确控制和稳定的电力传输。

7. **不间断电源(UPS)**
  STGP6N60HD-VB 还可用于不间断电源(UPS)系统中,作为开关元件帮助提供备用电源。它能够在电力中断时提供稳定的电源输出,保证关键设备在电力波动或断电情况下的连续运行,广泛应用于服务器、数据中心和医疗设备的电力保障中。

### 结语

STGP6N60HD-VB 具有较高的漏源电压(650V)和适中的导通电阻(1100mΩ),适合于高电压电源和功率转换应用。它在开关电源、电动机驱动、太阳能逆变器、电池管理系统等领域的应用表现优异,能够处理大功率系统中的高电压和中电流负载,为电子系统提供可靠、高效的功率开关解决方案。

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