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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STF9NM60N-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STF9NM60N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**STF9NM60N-VB** 是一款高性能的 **单 N 沟道 MOSFET**,封装采用 **TO220F**,适用于高电压和中等电流的电源控制和功率转换系统。它具有 **650V 的最大漏源电压(VDS)** 和 **12A 的最大漏极电流(ID)**,能够满足高电压电源系统的需求。该 MOSFET 的 **RDS(ON) 为 680mΩ @ VGS=10V**,具有低导通电阻,能够有效降低功率损耗,并提高系统效率。**STF9NM60N-VB** 使用 **Plannar 技术**,提供优异的开关性能和热管理能力,适用于各种中高功率的应用场景,特别是在需要高耐压和中等电流承载的场合。

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### 详细参数说明

| **参数类别**           | **参数值**                      | **说明**                                                                |
|------------------------|---------------------------------|-------------------------------------------------------------------------|
| **封装类型**           | TO-220F                         | 提供良好的散热能力,适合功率较大的应用。                               |
| **通道配置**           | 单 N 沟道                        | 提供稳定的电流开关和高效的功率转换能力                                  |
| **最大漏源电压 (VDS)**  | 650V                            | 高电压承载能力,适用于高压电源和功率转换系统                           |
| **最大栅极驱动电压 (VGS)** | ±30V                            | 宽栅极驱动电压范围,确保在多种电源控制环境中稳定工作                    |
| **阈值电压 (Vth)**     | 3.5V                            | 较低的开关电压,适合低电压电源应用                                      |
| **导通电阻 (RDS(ON))**  | 680mΩ @ VGS=10V                 | 较低的导通电阻,有助于提高系统效率,降低功率损耗                        |
| **最大漏极电流 (ID)**   | 12A                              | 适用于中等电流负载的电源管理和功率转换应用                              |
| **技术类型**           | Plannar                         | 提供较好的温度控制能力和高效的开关性能,适用于需要可靠热管理的应用      |

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### 应用领域和模块举例

1. **高压电源管理系统**
  - **应用场景**:STF9NM60N-VB 适用于 **高压电源转换器** 和 **电源管理模块**,例如 **AC-DC 电源转换器** 和 **DC-DC 转换器**。
  - **说明**:由于其 **650V 的耐压** 特性,该 MOSFET 能够在 **高压电源系统** 中稳定工作,特别适用于工业控制、通讯和电力电子等需要高电压的应用中。**较低的 RDS(ON)** 可以有效减少开关损耗,确保系统的高效运行。

2. **电动机驱动系统**
  - **应用场景**:用于 **电动机驱动控制系统**,例如工业电动机、空调电动机和其他家电设备中的电动机驱动电路。
  - **说明**:该 MOSFET 能够承受 **12A 的漏极电流**,非常适合 **电动机启动和运行**。高电压承载能力和低导通电阻使其在电动机的高效驱动中表现出色,特别适用于要求稳定性和可靠性的电动机控制系统。

3. **变频器和电力转换**
  - **应用场景**:广泛应用于 **变频器**(VFD)和 **电力逆变器**(Inverter),例如用于工业自动化和可再生能源系统的电力转换设备。
  - **说明**:STF9NM60N-VB 适用于高电压和中等电流的电力转换系统,在 **变频器** 中充当功率开关元件,确保高效的能量转换。**650V 的耐压** 使其适合大功率电力应用,如工业设备和可再生能源电力转换。

4. **电池管理系统(BMS)**
  - **应用场景**:适用于 **电池管理系统**(BMS)中的功率开关,尤其是电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理。
  - **说明**:该 MOSFET 可以在 **电池管理系统** 中用作功率开关,调节电池组的充放电过程。由于其高耐压和中等电流承载能力,STF9NM60N-VB 能够满足电池管理系统对高电压、电流的严格要求,确保电池工作在安全和高效的状态。

5. **工业电力控制**
  - **应用场景**:适用于 **工业电力控制系统**,如 **不间断电源(UPS)** 和 **电力传输系统**。
  - **说明**:在 **UPS 系统** 和其他电力控制应用中,STF9NM60N-VB 可用作电源开关元件,确保系统稳定运行。它能够处理高电压和中等电流,适合于电力控制和能量转换需求较高的工业电力系统。

6. **汽车电子**
  - **应用场景**:适用于 **汽车电子系统**,如电动汽车的电池管理、驱动系统及其他电源控制模块。
  - **说明**:STF9NM60N-VB 可用于电动汽车和混合动力汽车的 **电池管理系统**(BMS),确保电池组的电压和电流稳定,优化能量使用,并增强系统的安全性和效率。

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**STF9NM60N-VB** 是一款 **650V 耐压**、**12A 最大电流** 的 **N 沟道 MOSFET**,采用 **TO220F 封装**,适用于 **高电压电源管理、电动机驱动、变频器、电力转换系统** 和 **电池管理系统(BMS)** 等应用。其 **低 RDS(ON)** 和 **高开关性能** 确保了系统的高效能量转换和稳定运行,广泛应用于工业电力控制、汽车电子、家电以及可再生能源等领域。

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