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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STF9NK60ZD-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STF9NK60ZD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**STF9NK60ZD-VB** 是一款采用 **TO220F** 封装的 **650V** 单N沟道MOSFET,专为高压功率开关和电源控制应用设计。该型号MOSFET的最大漏极电压(VDS)为 **650V**,适用于各种需要较高电压的工业与消费类电力控制系统。采用 **Plannar** 技术,该MOSFET具有较高的耐压和良好的开关性能,能够在较高的工作电压下提供可靠的性能。

该型号的导通电阻(RDS(ON))在 **10V栅电压**下为 **830mΩ**,适用于对导通损耗要求适中的应用。其 **最大漏极电流**(ID)为 **10A**,使其成为多种工业和消费电子产品的理想选择,特别是在需要高电压处理和中等电流能力的场合。

---

### 详细参数说明

| **参数**              | **值**                              | **单位**  | **描述**                                               |
|--------------------|-----------------------------------|---------|------------------------------------------------------|
| **封装类型**          | TO220F                             | —       | 高功率封装,适用于高电压和电流控制应用,良好的散热性能。                |
| **沟道类型**          | 单N沟道                             | —       | 提供高效的开关性能,适用于 **650V** 电压的功率转换。                          |
| **漏源电压(VDS)**     | 650V                               | V       | 最大漏源电压,适用于 **650V** 及以下的高压电源管理和控制系统。                |
| **栅源电压(VGS)**     | ±30V                               | V       | 支持 **±30V** 栅源电压,适合大电流开关应用和高效驱动。                   |
| **阈值电压(Vth)**     | 3.5V                               | V       | 导通起始电压,保证MOSFET可靠开关。                                       |
| **导通电阻(RDS(ON))** | 830mΩ@VGS=10V                     | Ω       | 在 **VGS=10V** 时的导通电阻,适用于中等效率要求的高压开关应用。                  |
| **漏极电流(ID)**      | 10A                                 | A       | 最大连续漏极电流,适用于低到中等电流负载的高压功率转换应用。                     |
| **技术**              | Plannar                            | —       | 采用 **Plannar** 技术,提供稳定的性能和较高的导通电流能力。                   |
| **工作温度范围**       | -55 ~ 150°C                        | °C      | 宽温度范围,适用于各种工业环境下的高压功率控制应用。                         |

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### 应用领域及模块示例

**STF9NK60ZD-VB** 是一款 **650V** 耐压、**10A** 电流承载能力的MOSFET,特别适用于高压电源管理、工业电力控制和消费电子中的功率转换应用。以下是该MOSFET的几种典型应用:

1. **高压开关电源 (SMPS)**  
  **STF9NK60ZD-VB** 可广泛应用于 **高压开关电源**(SMPS)中,尤其是 **DC-DC转换器**、**AC-DC电源适配器** 和 **高压电池充电器** 等设备中。其 **650V** 的耐压能力能够有效应对高电压输入,适合用于需要中等电流(10A)负载的系统。

2. **工业电力控制与驱动**  
  在 **工业电力控制** 和驱动系统中,**STF9NK60ZD-VB** 可用于大功率电机驱动、电池充电控制、变频器等场合。其高压处理能力使其能够适应 **高压电动机驱动器** 或 **电机控制系统** 中对大功率开关的需求。

3. **电动工具和家电电源管理**  
  在电动工具和家电中,**STF9NK60ZD-VB** 适用于电源管理和控制模块,尤其是在 **高压电源适配器** 和 **电动马达驱动系统** 中,可以有效处理电源切换和调节,提高设备的工作效率和稳定性。

4. **汽车电子和电池管理系统**  
  在 **汽车电子系统** 中,**STF9NK60ZD-VB** 适用于电池管理系统(BMS)以及电动汽车的电源转换模块。特别是在电动汽车的充电系统、功率转换系统中,该MOSFET能够提供稳定的性能,处理 **高压电池** 的充电和放电过程。

5. **太阳能逆变器**  
  **STF9NK60ZD-VB** 在 **太阳能逆变器** 中发挥着重要作用,能够有效处理太阳能电池板输出的高电压电力,并将其转换为适用于电网的交流电。其 **650V** 的耐压使其在高压环境下能够稳定工作,确保系统长期可靠运行。

6. **高压电源系统**  
  在一些 **高压电源系统** 和 **电力转换设备** 中,**STF9NK60ZD-VB** 提供的 **650V** 耐压使其能够承受高电压输入,并有效地进行功率调节。其适用于需要精确电压控制的工业设备、医疗设备和研究实验室电源模块。

### 总结

**STF9NK60ZD-VB** 是一款适用于 **650V** 电压范围的单N沟道MOSFET,采用 **TO220F** 封装和 **Plannar** 技术,具有 **830mΩ** 的导通电阻和 **10A** 的最大电流能力。该MOSFET特别适合用于高压电源管理、工业电力控制、汽车电子和可再生能源等领域。尽管其导通电阻相对较高,但在许多对电源效率要求适中的高压应用中,仍能够提供稳定和可靠的性能。

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