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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STF8NM60N-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STF8NM60N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth Vth
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、STF8NM60N-VB 产品简介

STF8NM60N-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于多种高电压应用。这款 MOSFET 的最大漏源电压(VDS)为 650V,能够承受中高压的电源和控制应用。其最大漏极电流(ID)为 12A,适合较高电流负载应用。导通电阻(RDS(ON))为 680mΩ @ VGS=10V,较低的导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统的总体效率。采用 Plannar 技术,具有优良的开关性能、热稳定性和较长的使用寿命。STF8NM60N-VB 是电力电子设备中常见的高电压开关元件,广泛用于电源管理、电动机控制、太阳能逆变器等多种工业应用。

---

### 二、STF8NM60N-VB 详细参数说明

| **参数类别**          | **参数值**                | **说明**                             |
|---------------------|---------------------------|--------------------------------------|
| **封装**              | TO220F                    | 高功率封装,适用于需要散热的应用       |
| **配置**              | 单 N 沟道                  | 高电压、高电流开关应用                |
| **漏源电压 (VDS)**     | 650V                      | 高电压承载能力,适用于高压电源系统          |
| **栅源电压 (VGS)**     | ±30V                      | 支持广泛的栅极驱动电压范围,适应各种控制电路 |
| **开启电压 (Vth)**      | 3.5V                      | 标准开启电压,适用于常规栅驱动要求          |
| **导通电阻 (RDS(ON))**  | 680mΩ @ VGS=10V           | 较低的导通电阻,适合高压电流应用      |
| **最大漏极电流 (ID)**   | 12A                        | 适用于较高电流负载的应用              |
| **技术**               | Plannar                   | 提供较好的开关性能和热稳定性            |

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### 三、应用领域与模块

#### 1. **电源管理与电力转换**
STF8NM60N-VB 在电源管理和电力转换领域具有广泛的应用。它的漏源电压为 650V,能够有效管理高电压环境中的电力流动,适合用作开关元件在各种电源模块中,如 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器以及稳压电源系统中。其低导通电阻(680mΩ @ VGS=10V)能够减少电能损耗,提高系统效率,降低发热,特别适合高效能和长时间稳定运行的电源管理应用。

#### 2. **电动机驱动系统**
STF8NM60N-VB 的最大漏极电流为 12A,适用于中等功率电动机驱动系统。在电动工具、电动风扇、空调压缩机及工业设备驱动等应用中,STF8NM60N-VB 可以作为开关元件控制电动机的启动、转速调节和方向控制等功能。其较低的导通电阻能够减少功率损耗,提升电动机驱动系统的整体效率,延长电动机的使用寿命。

#### 3. **太阳能逆变器**
在太阳能发电系统中,STF8NM60N-VB 作为高压 MOSFET 被广泛应用于太阳能逆变器。它能够承受高达 650V 的漏源电压,适用于将光伏电池板产生的直流电(DC)转换为交流电(AC)输出的过程。低导通电阻使得在逆变过程中能更高效地转换电能,提升整体能效,并在长时间高负荷下保证系统稳定性。

#### 4. **不间断电源(UPS)**
STF8NM60N-VB 适用于 UPS(不间断电源)系统中的开关和电力转换模块。作为一款中高压 MOSFET,它能够承受高达 650V 的电压,且具有较低的导通电阻,能有效提高 UPS 系统的能效。UPS 系统能够在主电源断电时为关键负载提供稳定电力,而 STF8NM60N-VB 在电力转换过程中扮演着重要角色,确保电源转换的高效性与可靠性。

#### 5. **工业自动化与高压控制电路**
STF8NM60N-VB 适用于工业自动化系统中的高压控制电路和电力控制模块。作为高电压开关元件,它能够控制各种工业设备的启停、运行模式和电力传输。例如,在电力传输控制、高压电气设备控制、重型电动机驱动等应用中,STF8NM60N-VB 能够提供稳定可靠的控制能力,满足高效能和长期稳定运行的要求。

### 总结
STF8NM60N-VB 是一款高效、可靠的高压 N 沟道 MOSFET,适用于多种高电压电源管理和控制应用。其较低的导通电阻(680mΩ)确保了电源转换的高效率,而其高达 650V 的漏源电压使其能够在工业电力设备、电动机控制、太阳能逆变器以及 UPS 系统中广泛应用。该 MOSFET 的 Plannar 技术还赋予了其卓越的开关性能和良好的热稳定性,适合长期高效运行。

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