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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STF7N52K3-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STF7N52K3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、STF7N52K3-VB 产品简介

STF7N52K3-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,具有 650V 的最大漏源电压(VDS)、±30V 的最大栅源电压(VGS),以及 3.5V 的开启电压(Vth)。该产品的导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ @ VGS=10V,最大漏极电流(ID)为 7A,采用 Plannar 技术。STF7N52K3-VB 主要应用于高电压电源管理、开关电源、负载控制和电机驱动等中等功率电路中,适合需要较高电压容忍度和中等电流负载的应用。其优异的开关性能和低导通电阻特性使得它在高效能电子设备中成为理想选择。

---

### 二、STF7N52K3-VB 参数详解

| **参数**               | **说明**                                                        |
|------------------------|---------------------------------------------------------------|
| **封装类型**            | TO220F                                                         |
| **极性**                | 单 N 沟道 (Single N-Channel)                                   |
| **漏源电压 (VDS)**      | 650V                                                           |
| **栅源电压 (VGS)**      | ±30V                                                          |
| **开启电压 (Vth)**       | 3.5V                                                           |
| **导通电阻 (RDS(ON))**   | 1100mΩ @ VGS=10V                                               |
| **漏极电流 (ID)**       | 7A                                                            |
| **功耗 (Ptot)**         | 90W(具体取决于散热条件)                                       |
| **工作温度范围**         | -55°C 至 +150°C                                                |
| **封装尺寸**            | TO220F 封装,适合高电压应用                                    |
| **技术**                | Plannar                                                         |

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### 三、应用领域及模块示例

1. **高电压电源管理**
  STF7N52K3-VB 的 650V 漏源电压使其非常适合用于高电压电源管理系统中。它能够有效处理输入电压较高的电源电路,如 AC-DC 转换器、逆变器以及电源稳压模块。由于该 MOSFET 的导通电阻为 1100mΩ,它能够在高电压下保持较低的功率损耗,在高效能电源管理中实现能量的高效转换和使用。

2. **开关电源**
  在开关电源模块中,STF7N52K3-VB 主要用于开关元件,尤其是需要高电压耐受性和较低漏极电流的电源转换应用。该 MOSFET 可以作为电源开关应用于各种电压调节和功率转换系统,如通信设备电源、电动工具电源和数据中心电源系统。其较低的导通电阻有助于提高开关效率,减少因功率损耗产生的热量。

3. **负载控制与负载开关**
  STF7N52K3-VB 适用于高电压负载开关应用,如电池保护电路、电力负载切换和系统控制模块。在负载电流较大、电压较高的场合,STF7N52K3-VB 能够提供稳定可靠的开关控制,尤其是在需要较高电压耐受的负载开关系统中,其能够有效避免电流过载带来的损害。

4. **电机驱动系统**
  在电机驱动应用中,STF7N52K3-VB 可用于直流电机或交流电机的开关控制,特别是在工业自动化、家电和电动工具等领域。其高耐压能力和较高的漏极电流适合驱动较大功率的电动机。通过提供高效、低功率损耗的开关控制,STF7N52K3-VB 能够提升电机系统的性能,并延长设备的使用寿命。

5. **逆变器和电源转换模块**
  STF7N52K3-VB 在逆变器和其他电源转换模块中也有广泛应用,尤其是在太阳能发电和风能发电系统中。逆变器将直流电转换为交流电,而该 MOSFET 的高耐压和低功耗特性使其在这些应用中起到至关重要的作用。其能够确保高效的能量转换和高电压环境下的稳定运行。

6. **UPS 电源系统**
  STF7N52K3-VB 也适用于不间断电源(UPS)系统中。UPS 系统要求在断电情况下能提供稳定的电源,而 MOSFET 作为开关组件,能够处理高电压和较大的电流,保证系统在发生电网故障时能够稳定工作。其低导通电阻有助于提升 UPS 系统的效率,减少能量损失。

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STF7N52K3-VB 是一款高耐压、高性能的 N 沟道 MOSFET,具有 650V 的漏源电压和 7A 的漏极电流,适用于高电压电源管理、电机驱动、开关电源、负载开关等领域。其低导通电阻和高效能开关特性使其在高效能电力电子设备中发挥重要作用,能够为多种中高功率应用提供可靠的解决方案。

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