--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### STF6N52K3-VB 产品简介
STF6N52K3-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 沟道功率 MOSFET,具有 650V 的漏源电压(VDS)和 7A 的最大漏极电流(ID)。它采用 Plannar 技术设计,适用于高电压和中等电流的功率开关应用。其导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ(在 VGS = 10V 时),能够在提供适度效率的同时控制较高的电压负载。STF6N52K3-VB 的开启电压(Vth)为 3.5V,最大栅源电压为 ±30V,适合应用于电源管理、工业控制、以及电动工具和LED照明系统等领域。
---
### 产品详细参数说明
| **参数** | **值** | **说明** |
|------------------------|------------------------------------|-------------------------------------------------------------------------|
| **封装类型** | TO220F | TO220F 封装,具有较好的散热性能,适用于中等功率的应用。 |
| **配置** | 单一 N 沟道 | 单极 N 沟道结构,适用于高电压开关和电流控制应用。 |
| **漏源电压 (VDS)** | 650V | 最大漏源电压为 650V,适合高电压系统的应用。 |
| **栅源电压 (VGS)** | ±30V | 最大栅源电压为 ±30V,确保在广泛的工作条件下稳定运行。 |
| **开启电压 (Vth)** | 3.5V | 开启电压为 3.5V,适用于标准电压控制的应用。 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1100mΩ @ VGS = 10V | 导通电阻为 1100mΩ,适用于中等功率应用,提供适度的导电性能。 |
| **最大漏极电流 (ID)** | 7A | 最大漏极电流为 7A,适用于中等电流负载的应用。 |
| **技术** | Plannar | 使用 Plannar 技术,适合一般功率应用,确保可靠的性能和较高的效率。 |
---
### 应用领域和模块举例
1. **电源适配器与电源转换器**
STF6N52K3-VB 可应用于电源适配器、AC-DC 转换器或 DC-DC 转换器中。它能够将高电压电源转换为低电压输出,满足对中等功率需求的电源系统。由于其650V的高耐压特性,它非常适合用于一些工业和家电电源模块。
2. **电动工具**
在电动工具中,STF6N52K3-VB 可以用于电池管理和功率开关应用。例如,在电池充电器和电动工具的驱动电路中,它能有效地控制电池充电和放电过程,提供高效的能量管理。
3. **LED照明电源**
在 LED 照明驱动电源中,STF6N52K3-VB 可用作开关元件,通过高效转换电源电压以驱动 LED 照明模块。由于它具备较高的电压耐受能力,适合于商业和工业领域的大规模照明系统。
4. **工业自动化和电动机驱动系统**
在工业自动化系统中,STF6N52K3-VB 可以应用于电动机驱动系统中,负责高电压控制和切换。它适用于一些需要电流控制的设备,特别是那些需要稳定和高效操作的电动机控制模块。
5. **消费电子产品电源管理**
STF6N52K3-VB 适用于消费电子产品中的电源管理应用,如电视、电动工具和家电等设备。它在这些应用中通过高效转换和控制电源电压,保证设备稳定运行并节能。
6. **风力发电系统**
STF6N52K3-VB 可用于风力发电系统中的功率控制和电力转换。由于其高电压耐受能力,它能够有效地管理从风力发电机传输来的电能,并将其转换为适合使用的电力。
7. **高效电池充电系统**
在电池充电系统中,STF6N52K3-VB 可用作电流和电压的调节元件。它能够管理高电压输入,控制电池的充电过程,确保电池充电的稳定性和安全性。
STF6N52K3-VB 的高耐压特性和适中的电流处理能力,使其适用于电源转换、电池管理、电动工具驱动以及工业自动化等领域。其导通电阻较为适中,适合中等功率系统,并能在高电压环境下稳定运行,确保系统的高效性和可靠性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12