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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STF5N60M2-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STF5N60M2-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. **产品简介:**

STF5N60M2-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 型 MOSFET,具有 650V 的漏极源电压(VDS)和 4A 的最大漏极电流(ID)。该 MOSFET 采用了 Plannar 技术,适用于需要较高耐压的中功率应用。尽管其导通电阻较高(RDS(ON) = 2560mΩ @ VGS = 10V),STF5N60M2-VB 仍然是一款可靠的器件,适用于一些对电流要求相对较低的场合。其阈值电压(Vth)为 3.5V,确保其在常规的栅极驱动电压下能够正常工作。此产品特别适用于低功率开关电源、逆变器、照明控制系统等领域。

### 2. **详细参数说明:**

- **封装(Package):** TO220F
- **配置(Configuration):** 单极 N 型(Single-N-Channel)
- **漏极源电压(VDS):** 650V
- **栅极源电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID):** 4A
- **技术(Technology):** Plannar

### 3. **应用领域与模块示例:**

- **开关电源:** STF5N60M2-VB 可用于中等功率的开关电源中,尤其适合于AC/DC 转换器、DC/DC 转换器和其他电力电子产品。尽管该 MOSFET 的导通电阻较高,但在低功率或低电流需求的场合,它依然能够提供有效的开关性能,并能在这些应用中实现良好的电源管理和功率转换。

- **逆变器:** 在小型逆变器系统中,STF5N60M2-VB 适合用于直流到交流的电能转换。其 650V 的耐压特性使其在一些较低功率的光伏系统、UPS 电源系统或小型电动工具的逆变器中有广泛应用。尽管导通电阻相对较高,但其足以满足中低功率逆变器的需求,特别是在电流要求不高的场合。

- **照明控制系统:** 在照明控制模块,尤其是涉及到电灯调光控制的应用中,STF5N60M2-VB 是一款合适的选择。其耐压特性使其能够承受高电压,并在调光电路中提供稳定的控制功能。其适用于家庭、商业和工业照明系统,尤其是在使用较低电流和电压的情境下。

- **电池充电器:** 在电池充电器设计中,STF5N60M2-VB 适合用于较低功率的电池管理系统。其低电流处理能力和较高的耐压特性使其适用于需要一定耐压能力的电池充电应用,特别是在小型便携设备或家庭电池充电设备中。

- **电动工具:** 在一些中功率电动工具中,STF5N60M2-VB 可用于驱动控制。其 650V 的耐压范围适合处理一定电流的电动工具电源和驱动系统。尽管其导通电阻较大,但对于不需要大电流或频繁开关的电动工具来说,这款 MOSFET 仍可提供稳定的工作性能。

- **小型电动机驱动:** 在小功率电动机的驱动电路中,如小型家电和自动化设备,STF5N60M2-VB 可用于实现高效的电动机启动、加速和运行控制。其耐压能力足以处理低电流电动机控制电路,尤其适用于低功率电动机应用。

总结来说,STF5N60M2-VB 是一款适用于中低功率、高耐压应用的 MOSFET,虽然其导通电阻较高,但凭借其可靠性和高耐压特性,它广泛适用于开关电源、逆变器、电池充电器、照明控制系统等多个领域。

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