企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

STF10NM60N-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STF10NM60N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、STF10NM60N-VB 产品简介

STF10NM60N-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,适用于高电压和高电流应用。它具有 650V 的漏源耐压(VDS)和 12A 的最大漏极电流(ID),非常适合用于高效的电源转换和功率控制电路。该 MOSFET 的导通电阻为 680mΩ(VGS=10V),能够在低功率损耗的情况下提供稳定的电流控制。其开启电压(Vth)为 3.5V,适用于要求较高栅极驱动电压的应用。STF10NM60N-VB 采用 Plannar 技术,具有较好的电流控制性能,适合应用于电源系统、工业设备、以及高压驱动模块等多个领域。

---

### 二、STF10NM60N-VB 详细参数说明

| **参数类别**        | **参数值**              | **说明**                        |
|-------------------|-------------------------|---------------------------------|
| **封装**            | TO220F                  | 大功率封装,适合高电压和高电流应用       |
| **配置**            | 单 N 沟道                | 单极性设计,适用于常规功率应用           |
| **漏源电压 (VDS)**   | 650V                    | 高电压承载能力,适合高压电源转换器         |
| **栅源电压 (VGS)**   | ±30V                    | 宽栅极电压范围,适用于灵活控制              |
| **开启电压 (Vth)**    | 3.5V                    | 较高开启电压,适用于需要较高栅驱动电压的电路 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 680mΩ @ VGS=10V         | 较低导通电阻,有效减少功率损耗              |
| **最大漏极电流 (ID)**  | 12A                     | 高电流承载能力,适合高功率应用         |
| **技术**             | Plannar                  | Plannar 技术,稳定的电流控制性能和较低的损耗    |
| **工作频率**         | 高频                      | 适用于高频开关应用                     |

---

### 三、应用领域与模块

#### 1. **高电压电源转换器**
STF10NM60N-VB 适用于各种电源转换应用,尤其是高电压(最大 650V)的电源系统,如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。在这些系统中,该 MOSFET 能有效地控制高电压输入输出,降低功率损失,提升转换效率。

#### 2. **电机驱动控制**
在工业设备和电动工具的电机驱动模块中,STF10NM60N-VB 可作为高效的开关元件。它的 12A 最大漏极电流和低导通电阻使其适合用于电机的精确控制与驱动。在电动工具、电动泵、风扇等设备中,能够提供稳定的电流和效率,减少电机启动和运行时的损耗。

#### 3. **功率因数校正(PFC)**
该 MOSFET 的高电压耐受能力和低导通电阻使其成为功率因数校正(PFC)电路的理想选择。通过提高电源转换效率,它帮助系统实现更高的电能利用率,减少浪费,特别适合于大功率电源系统、充电站和高效电源适配器中。

#### 4. **家电和工业设备电源模块**
在家电和工业设备的电源模块中,STF10NM60N-VB 可以提供可靠的功率转换。它的高耐压和良好的开关特性使其适合用于空调、冰箱、电力控制系统等设备的电源管理,帮助提高系统的整体性能和稳定性。

#### 5. **电源保护模块**
该 MOSFET 也适用于电源保护模块,如过压保护、电池保护和过流保护系统。其高电压耐受能力和良好的热管理能力,使其在要求稳定性和安全性的电源保护设计中非常有用。

#### 6. **逆变器和可再生能源系统**
STF10NM60N-VB 在逆变器和可再生能源系统中也有广泛应用。它能够承受高电压,适合用于太阳能逆变器、风力发电系统等中高功率的电源转换。它在这些领域中的高效性能帮助降低系统的能源损耗,提高系统的输出效率。

通过以上几个应用领域,STF10NM60N-VB 可见在要求高耐压和高效能电流控制的场景中具有广泛的应用前景,特别适用于工业电源、驱动电路、电源转换及保护等多个领域。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    728浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    604浏览量