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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STF10NK50Z-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: STF10NK50Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**STF10NK50Z-VB** 是一款采用 **TO220F 封装** 的 **单一 N 沟道 MOSFET**,基于 **平面(Plannar)技术**,适用于中高压电源和开关控制应用。其 **650V 的漏源极电压 (VDS)** 和 **12A 的最大漏极电流 (ID)**,使其非常适合用于需要高电压和较大电流处理能力的场合。该 MOSFET 的 **低导通电阻(RDS(ON) = 680mΩ @ VGS=10V)** 进一步优化了功率损耗,提升了开关效率。凭借其稳定的阈值电压 **3.5V**,它能提供可靠的开关性能,适用于电力电子系统中的多种模块。

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### 详细参数说明

| **参数类别**        | **参数值**                     | **说明**                                                                 |
|----------------------|--------------------------------|--------------------------------------------------------------------------|
| **封装类型**        | TO-220F                        | 提供良好的散热能力,适用于高功率应用,适合较大的电流和功率处理         |
| **通道配置**        | 单一 N 沟道                    | 提供高效的电流导通与开关能力                                            |
| **最大漏源极电压 (VDS)** | 650V                           | 适合中高压电源控制,能够处理较高电压的应用                              |
| **最大栅极驱动电压 (VGS)** | ±30V                          | 提供灵活的栅极驱动电压范围,适应各种控制信号输入                        |
| **阈值电压 (Vth)**  | 3.5V                           | 较低的阈值电压,确保更早开通,有助于提高开关效率                         |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 680mΩ @ VGS=10V                | 低导通电阻,减少开关损耗,提高功率传输效率                              |
| **最大漏极电流 (ID)** | 12A                            | 较大的漏极电流处理能力,适合更高功率负载                                |
| **技术类型**        | 平面(Plannar)                 | 提供优良的性能稳定性和较低的开关损耗,适用于各种电力转换系统              |

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### 应用领域和模块举例

1. **开关电源(SMPS)**
  - **应用场景**:STF10NK50Z-VB 常用于高效的开关电源设计中,作为主开关器件。
  - **说明**:该 MOSFET 的 **650V 耐压能力** 和 **680mΩ 的导通电阻** 使其非常适合用于高压电源中,提供高效的电流转换和低功率损耗,尤其在 **直流/交流(DC/AC)转换电源** 中表现出色。

2. **电动机驱动**
  - **应用场景**:适用于电动工具、家用电器、电动汽车驱动系统等。
  - **说明**:STF10NK50Z-VB 的 **12A 的最大漏极电流** 使其适用于需要较大电流处理的电机驱动系统中。无论是低功率还是高功率的电动机控制,这款 MOSFET 都能提供稳定的性能,确保驱动系统的高效运行。

3. **太阳能逆变器**
  - **应用场景**:在太阳能光伏系统的逆变器中,将直流电转换为交流电。
  - **说明**:凭借其高 **650V 的耐压能力** 和 **平面技术(Plannar)** 提供的低损耗特性,STF10NK50Z-VB 在太阳能逆变器中的使用能够提升整体效率,减少能量转换过程中的损失,特别适合需要高电压和高可靠性的逆变器应用。

4. **电池管理系统(BMS)**
  - **应用场景**:用于电池的充放电控制模块,确保电池系统的安全与高效运行。
  - **说明**:该 MOSFET 的 **650V 耐压** 和 **较低的导通电阻** 使其适用于电池管理系统中的高效电流控制,尤其在需要快速响应和稳定性的电池充放电过程中,表现出色。

5. **工业电力控制系统**
  - **应用场景**:工业自动化系统中的电力开关与控制模块。
  - **说明**:STF10NK50Z-VB 由于其 **650V 的高电压承受能力** 和 **12A 的电流承载能力**,是理想的选择,广泛应用于电力控制系统中的开关电源、变频器等高功率系统。

通过其优越的电压和电流处理能力,**STF10NK50Z-VB** 在需要稳定高效电力控制的应用中表现优异,尤其适用于电源系统、电机驱动、太阳能逆变器等领域。

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