--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**SSS7N60B-VB** 是一款高压 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为需要高耐压和可靠性的应用设计。其最大漏源电压(VDS)为 650V,栅源电压(VGS)可达到 ±30V,适用于高电压开关电源和电力控制系统。该器件的最大漏极电流(ID)为 7A,适合中等功率应用。采用 Plannar 技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON)=1100mΩ @ VGS=10V),能够有效减少开关损耗并提高效率。此 MOSFET 是工业电源系统、电动机驱动、照明控制系统等领域的理想选择,提供高效的电力转换和开关控制。
---
### 详细参数说明
| **参数** | **数值** | **单位** | **描述** |
|------------------|------------------------|---------------|------------------------------------|
| **封装类型** | TO220F | - | 提供良好的散热性能,适合中等功率负载 |
| **配置** | 单通道 N 型 | - | 高效开关元件,适用于高电压应用 |
| **最大漏源电压 (VDS)** | 650V | V | 高电压耐受能力,适合高电压开关电源等应用 |
| **最大栅源电压 (VGS)** | ±30V | V | 宽栅电压范围,支持不同驱动电路的需求 |
| **阈值电压 (Vth)** | 3.5V | V | 提供较高的开关稳定性 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1100mΩ | mΩ | 中等导通电阻,适合中等功率的电力转换和开关应用 |
| **最大漏极电流 (ID)** | 7A | A | 可处理中等功率负载,适用于电源控制和开关电路 |
| **技术类型** | Plannar | - | Plannar 技术,提供高稳定性和可靠性 |
---
### 应用领域和模块示例
1. **高压开关电源(SMPS)**
**SSS7N60B-VB** 可广泛应用于高压开关电源(SMPS)中,特别适用于工业电源、电池充电器、逆变器等应用。其最大漏源电压为 650V,能够承受较高的电压环境,而导通电阻的值(1100mΩ)使其适合处理中等功率负载。在SMPS中,**SSS7N60B-VB** 提供了高效的开关控制功能,帮助提高转换效率并减少能量损失。
2. **电动机驱动系统**
在电动机驱动和控制系统中,**SSS7N60B-VB** 作为开关元件,可用于工业自动化系统、电动工具、家电等设备的电动机控制电路。其高耐压特性使其能够在电动机驱动电路中稳定工作,提供有效的电力传递和控制。
3. **功率因数校正电路(PFC)**
**SSS7N60B-VB** 也可用于功率因数校正(PFC)电路中。其高耐压和较低的导通电阻使其适合用于改善电源系统的功率因数,减少电能浪费。在 PFC 电路中,MOSFET 需要快速、高效地开关以保证电源系统的稳定性和高效性。
4. **电源管理系统**
**SSS7N60B-VB** 适用于各类电源管理系统,尤其是在高电压环境下需要稳定控制的场景。作为电源调节器、稳压电源和电池管理系统中的关键元件,它有助于实现电源电压的稳定调节,确保系统的长时间运行和高效性。
5. **逆变器**
在光伏发电、UPS(不间断电源)和风力发电系统中,**SSS7N60B-VB** 可用作逆变器中的开关元件。其能够承受高电压,确保逆变器在转换直流电为交流电时保持高效稳定的工作状态,从而提高逆变器的效率并保证设备的长期可靠性。
6. **照明控制系统**
**SSS7N60B-VB** 适用于高压照明控制系统,尤其是在室外大功率照明系统和工业照明中。其优良的耐压特性和高效率的开关性能,能够支持灯光调节和电源控制,保证照明系统在恶劣环境下也能稳定工作。
总结来说,**SSS7N60B-VB** 是一款适用于高压开关电源、电动机驱动、电力因数校正、逆变器、电源管理等领域的高效MOSFET。其能够在较高电压环境下提供稳定的电力开关控制,适用于需要高电压、稳定性和高效率的各类电力应用。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12